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公开(公告)号：CN110408989A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN109371468A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1-x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1-x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN107099845A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
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公开(公告)号：CN103193487A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310142843.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法，本发明的方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在流量为65ml/min的5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的烧结温度下通过调控烧结时间(16-4h)，得到一系列具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷，而且本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。
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公开(公告)号：CN113564706B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为#imgabs0#其晶格常数为#imgabs1#该晶体显示新颖的输运性质，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113705087A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
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公开(公告)号：CN109371468B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1‑x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN110129878A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104788093B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201510102769.9
申请日：2015-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3?0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法，将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3?0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀，在1000°C烧结1.0小时，得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3?0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4为ZnO相对于0.94Bi0.5Na0.5TiO3?0.06BaTiO3的摩尔百分比)的0?3型复合无铅压电陶瓷，其中ZnO以互相独立的颗粒状存在于0.94Bi0.5Na0.5TiO3?0.06BaTiO3的基底中。该复合压电陶瓷的热退极化温度随着ZnO的浓度增加而增加，直至热退极化消失。本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。
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公开(公告)号：CN103342551A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310267747.9
申请日：2013-06-28
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C23C14/28 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷的制备方法，本发明使用SrCO3、Fe2O3、Cr2O3、MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的温度下烧结12小时，获得单相的陶瓷。还公开了一种利用上述陶瓷制备得到的室温铁磁性Sr3FeCrMoO9薄膜的制备方法。该陶瓷具有良好的铁磁性，且具有高于室温的铁磁居里点（386K）。在获得陶瓷的基础上，利用脉冲激光沉积技术，在（001）SrTiO3单晶衬底上制备了相应的薄膜材料，该薄膜在室温下具有铁磁性。本发明所需的设备和制备过程简单易行。
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