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公开(公告)号：CN102544136B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN101481500B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910024705.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO2层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到包覆有二氧化锰的碳纳米管复合纳米结构MnO2@CNTs；(2)将所述MnO2@CNTs原料分散在溶剂中，将导电高分子单体溶解在质子酸的溶剂中，反应10分钟～72小时；pH值范围在0～6.5之间，反应温度在0℃～100℃范围内，有机酸为十二烷基苯磺酸或全氟辛磺酸，无机酸为硫酸或盐酸；导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类；(3)MnO2模板本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去。
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公开(公告)号：CN100591614C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610040806.9
申请日：2006-07-25
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法，以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底；表面淀积一层绝缘层作为掩膜；电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构；显影后进行干法刻蚀，将版图图形转移到表层硅上；湿法去胶(硫酸加双氧水)，再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀；通过改变干法刻蚀的刻蚀深度和角度，以及湿法腐蚀的温度和时间制备倒锥度支撑臂和倾斜悬臂梁的纳米结构。
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公开(公告)号：CN100497761C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710022910.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 聚苯胺纳米管的可控模板合成方法，将具有较强氧化性的金属氧化物纳米线或纳米管即隐钾锰型MnO2纳米纤维或β-MnO2纳米管作为模板在酸性溶液下与苯胺单体混合反应进行合成；并在冰水浴和搅拌环境下反应4-8小时后获得深绿色固态产物；产物经过过滤后，再经去离子水和乙醇清洗以除去表面的残余离子和低聚物并烘干即得；MnO2模板的重量与苯胺单体之比是40-50mg比0.08-0.1ml.。苯胺单体在酸性溶液下进行充分搅拌，将此溶液快速转移进分散着MnO2模版的水溶液中，并在冰水浴和搅拌环境下反应。
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公开(公告)号：CN101353817A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810124751.9
申请日：2008-09-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 凹柱面正三棱柱形的氧化铝纳米线，纳米线的几何构型为：凹柱面正三棱柱；标准正三棱柱的侧面为三个严格相同的平面，标准正三棱柱的横截面为正三角形；凹柱面正三棱柱的侧面为三个严格相同的内凹柱面，该柱面为此凹柱面正三棱柱的外接圆柱面的三分之一。制备方法是，1)配制电解质溶液；2)准备铝衬底：用纯度为99.999％的铝片，电化学抛光，取出铝片用去离子水清洗，氮气吹干；3)改进的阳极氧化法生长凹柱面正三棱柱形氧化铝纳米线：用铝衬底在直流恒电压条件下进行阳极氧化，在铝衬底表面生长凹柱面正三棱柱形氧化铝纳米线；阳极氧化使用的电压为70～90V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101041414A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610040806.9
申请日：2006-07-25
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法，以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底；表面淀积一层绝缘层作为掩膜；电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构；显影后进行干法刻蚀，将版图图形转移到表层硅上；湿法去胶(硫酸加双氧水)，再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀；通过改变干法刻蚀的刻蚀深度和角度，以及湿法腐蚀的温度和时间制备倒锥度支撑臂和倾斜悬臂梁的纳米结构。
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公开(公告)号：CN102436849B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110393572.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左右存储位同时实现“10”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀地编程到低位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“01”状态存储，即次高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到次高位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“00”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀编程到最高位阈值电压编程状态；以上三种编程状态存储单元进行擦除作时使用均匀擦除操作方式。
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公开(公告)号：CN102298971B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110250842.9
申请日：2011-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。
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公开(公告)号：CN102491252A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN102298971A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110250842.9
申请日：2011-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。
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