公开(公告)号：CN102411991A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110428732.7

申请日：2011-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴春波 ,  徐跃 ,  纪晓丽

IPC: G11C16/10

Abstract: 非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底、源极以及栅极都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压-1~-2V，脉冲持续时间为T1（100ns~1μs）；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3（4.2~5V），漏极加上电压Vd3(2.7~4.5V)，源极接地，衬底接电压Vb3（0.5~1.5V），脉冲时间为T2

公开(公告)号：CN102298971B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110250842.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐跃 ,  闫锋 ,  濮林 ,  纪晓丽

IPC: G11C16/34

Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。

公开(公告)号：CN102298971A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110250842.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐跃 ,  闫锋 ,  濮林 ,  纪晓丽

IPC: G11C16/34

Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。

公开(公告)号：CN102509559A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110376309.7

申请日：2011-11-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴春波 ,  徐跃 ,  纪晓丽

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/02

Abstract: 提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬态的FN操作，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为-2V～-1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；4)在达到编程状态后进行次短时间的-FN过程；本发明可达到提高存储器件的保持特性与耐受特性。

公开(公告)号：CN102509559B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201110376309.7

申请日：2011-11-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴春波 ,  徐跃 ,  纪晓丽

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/02

Abstract: 一种提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬态的FN操作，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为-2V～-1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；4)在达到编程状态后进行次短时间的-FN过程；本发明可达到提高存储器件的保持特性与耐受特性。

公开(公告)号：CN103927787A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410181480.6

申请日：2014-04-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 曹汛 ,  朱昊 ,  聂永明 ,  纪晓丽 ,  闫锋

IPC: G06T17/00 ,  G06T5/00

Abstract: 本发明开发了一种基于矩阵恢复的提高三维重建精度的方法及其装置，属于计算机视觉领域。该方法包括：使用基于深度合成的方法得到目标物体的点云；将点云转化为指定的数据矩阵；对数据矩阵进行矩阵恢复，使用APG算法提高计算速度；将矩阵恢复得到的结果矩阵转化为点云；应用泊松重建将点云重建出最终的三维表面模型。该装置包括：原始图像获取模块、标定模块、模型预处理模块、深度估计模块、数据矩阵生成模块、矩阵恢复模块、表面模型重建模块。本发明通过矩阵恢复的方法对三维重建中的点云模型进行优化，在保证效率的前提下大大提高了三维重建模型的精度。