公开(公告)号：CN102820214B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110204980.3

申请日：2011-07-21

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 王文杰 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/10876

Abstract: 一种半导体的制造方法。包括：于衬底上形成掩模层，掩模层具有暴露出部分衬底的第一开口。藉由所述掩模层为掩模，进行干式蚀刻工艺，于衬底中形成第二开口，其特征在于第二开口具有底部与由底部向上向外延伸的侧壁，掩模层的第一开口暴露出第二开口的底部，且掩模层遮蔽第二开口的侧壁。藉由掩模层为掩模，透过第一开口对第二开口的底部进行垂直式离子注入工艺。对所述衬底进行转换工艺，于第二开口的侧壁上与底部上形成转换层，其特征在于侧壁上的转换层的厚度大于底部上的转换层的厚度。

公开(公告)号：CN103008309B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201110369740.9

申请日：2011-11-15

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 章正欣 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: B08B11/00

CPC classification number: B08B17/025 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种晶片洗涤器和晶片清洗方法。一种晶片洗涤器，包括：腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔且位于支托盘与腔室的侧壁之间，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。

公开(公告)号：CN102779835B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110340045.X

申请日：2011-11-01

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 郭锦德 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2203/0392 ,  B81C1/00103 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28123

Abstract: 本发明公开了一种形成在基材上，具有小于传统光刻技术的极小尺寸的立方体凸出结构的方法。首先，提供一基材，与位于基材上的多个倾斜结构。多个倾斜结构包含一第一材料，并且彼此相隔一预定距离。其次，形成包含第二材料的目标层，以覆盖基材与倾斜结构，而且第一材料与第二材料各不相同。然后，进行一刻蚀步骤，以部分移除目标层，而暴露出倾斜结构。再来，进行一修整步骤，以完全移除倾斜结构并部分移除目标层，而形成凸出物。凸出物具有一圆角、一垂直侧壁、一凸出宽度与一凸出长度的一凸出物，其中目标层较倾斜结构更容易在刻蚀步骤中被刻蚀，而且凸出宽度与凸出长度其中的至少一者不大于33nm。

公开(公告)号：CN102867741B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110239111.4

申请日：2011-08-19

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 王文杰 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1063

Abstract: 一种半导体的制造方法。于一蚀刻机台中提供一基底，基底上形成有多个第一导体图案、一阻障层以及一图案化绝缘层，其中第一导体图案之间具有多个第一开口，阻障层覆盖第一导体图案的表面与第一开口的表面，图案化绝缘层形成于第一导体图案上且具有多个第二开口，第二开口暴露出位于第一导体图案的顶角上的阻障层，且各第二开口与对应的第一开口连通。于阻障层上沉积一聚合物层，其中位于第一导体图案的顶角上的聚合物层厚度大于位于第一开口的底部上的聚合物层厚度。进行一蚀刻工艺，以移除位于第一开口的底部上的聚合物层与阻障层。

公开(公告)号：CN102760700B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110165411.2

申请日：2011-06-14

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 何家铭 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，其上具有晶体管，其中该晶体管包括罩幕层及形成于该罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；在该基板之上形成介电层，并覆盖该晶体管；移除该介电层的部份，以露出该晶体管的顶部；在该介电层与该晶体管的该顶部上顺应地形成阻障层；蚀刻该阻障层，在该晶体管的该一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将该保护阻障物与该罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出该晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口及由该保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在该自对准接触开口内形成导电层以接触该晶体管该源极/汲极区。

公开(公告)号：CN102760658B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110144271.0

申请日：2011-05-31

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 苏国辉 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L29/518

Abstract: 一种闸介电层的制作方法，其是先进行氧化处理，以于基底上形成氧化物层；然后，进行氮化处理，以于氧化物层上形成氮化物层；之后，在氮气与氧气的混合气体中进行回火处理，其特征在于回火处理的温度介于900℃至950℃之间，回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间，且混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。本发明在制作闸介电层的过程中，于氮气和氧气的混合气体中进行回火处理，其可以有效地避免氮化物层中的氮扩散至外界而造成闸介电层的介电常数下降，且可以修补存在于氧化物层与基底之间的介面的缺陷。

公开(公告)号：CN102569026B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110035083.4

申请日：2011-01-28

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 廖建茂 ,  陈逸男

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供一种元件的制造方法与平坦化制程。该方法提供一基底，基底上已形成有多个图案以及位于图案之间的多个开口。于图案上形成一第一液态支撑层，第一液态支撑层填入开口中。将第一液态支撑层转变成一第一固态支撑层，第一固态支撑层包括形成于开口中的多个支撑件，其中支撑件形成于图案之间。对图案进行一处理步骤。将包括支撑件的第一固态支撑层转变成一第二液态支撑层。移除第二液态支撑层。本发明的元件的制造方法与平坦化制程具有较佳的效率与简化的步骤。

公开(公告)号：CN103515391A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210222508.7

申请日：2012-06-29

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器单元及其制造方法。上述非易失性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，上述浮动栅极具有一尖端和一钝端，其中上述尖端嵌入上述半导体基板中；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明的非易失性存储器单元可在相同的穿隧氧化层厚度条件下可大为提升存储器的程序化操作速度，或者本发明的非易失性存储器单元可以较小的操作电压完成程序化操作，且可以同时兼顾元件的可靠度。

公开(公告)号：CN103456656A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210174260.1

申请日：2012-05-30

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域，且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔;进行一热处理工艺，使导电材料和半导体基底间形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。

公开(公告)号：CN103378059A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210128469.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种穿硅通孔，包含有基底、第一开孔、第二开孔、第一导电层以及第二导电层。基底具有第一表面以及第二表面。第一开孔设置在基底的第一表面的一侧。第二开孔，设置在基底的第二表面的一侧，第一开孔与第二开孔连接。第一导电层设置在第一开孔中。第二导电层设置在第二开孔中。本发明还公开了一种穿硅通孔的形成方法。