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公开(公告)号：CN102956641A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110294528.0
申请日：2011-09-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶端表面高于该半导体基板的表面；以及置于该底部导体和该顶部导体间的一第二绝缘层。本发明用来解决短通道效应。
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公开(公告)号：CN102956637B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110290730.6
申请日：2011-09-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种具有电阻或电容的电路结构及其操作方法，该电路结构包含：一半导体基板，置于该基板内的一第一导电区，置于该第一导电区内的多个第二导电区及多个第三导电区，存在于该第一导电区及该第三导电区中间的一第一耗尽区，存在于该第二导电区及该第三导电区中间的一第二耗尽区，以及多个置于该第一导电区内的分隔区，分隔该多个第二导电区及第三导电区。该电路结构的操作方法如下：施加一第一电压于该分隔区以控制该电路结构的电容或电阻；施加一第二电压于该第一导电区及该第三导电区，并且施加一第三电压于该第二导电区以量测该电路结构的电容或电阻。本发明减低对芯片面积的需求，且工艺也相容于公知金属氧化物半导体晶体管领域。
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公开(公告)号：CN102956641B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110294528.0
申请日：2011-09-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶端表面高于该半导体基板的表面；以及置于该底部导体和该顶部导体间的一第二绝缘层。本发明用来解决短通道效应。
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公开(公告)号：CN103021861A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210036091.5
申请日：2012-02-15
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/223 , H01L21/268 , H01L21/823814
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基底；形成一栅极介电层于基底上；形成一栅电极于栅极介电层上；形成一间隔件于栅极介电层和栅电极的侧壁；使用包括多个灯源和一偏压施加系统的快速热工艺装置掺杂基底，形成一源极/漏极区，其中在快速热工艺装置中，上述灯源照射气态掺杂物，使气态掺杂物激发成掺杂离子，且掺杂离子是受到偏压施加系统施加的偏压产生移动，掺杂入基底中。本发明可形成非常浅的源极/漏极区，可用于深次微米半导体工艺；还可在同一快速热工艺室中进行掺杂步骤和退火步骤，使得基底晶格损坏减少，或完全没有产生基底晶格损坏。
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公开(公告)号：CN103021836A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210038985.8
申请日：2012-02-17
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/28026 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开了一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，包括：提供一基底；形成一结构层于基底上；及形成一光致抗蚀剂层于结构层上；对结构层进行一蚀刻工艺，其中光致抗蚀剂层具导电性，以减少蚀刻工艺中的等离子体损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021932B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110414241.7
申请日：2011-12-13
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/76897
Abstract: 一种形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，包括：形成多个闸极；在各闸极上形成缓冲层；形成绝缘层，填入各闸极间的空隙；形成与所述闸极交错的长条型光阻图案；以所述闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准制程蚀刻绝缘层，形成多个第一开口；形成导电接触层，填入各第一开口；对导电接触层进行第一化学机械研磨制程；移除缓冲层；以及对导电接触层进行第二化学机械研磨制程。
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公开(公告)号：CN103021904B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210058350.4
申请日：2012-03-06
Applicant: 南亚科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67046
Abstract: 一种晶片洗涤器和晶片洗涤方法，该晶片洗涤器包括：一腔室；一支托盘，连接至一承轴，且位于腔室中，其中支托盘支撑一晶片；及一吹气管，设置于腔室的侧壁的顶部，其中吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着腔室的侧壁吹气，使来自晶片的水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。本发明可以通过气流控制水的流动，避免溅回的水对晶片造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题，提高了晶片的良率。
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公开(公告)号：CN103077941B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210058362.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 南亚科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/823487 , H01L27/0266 , H01L29/0692 , H01L29/4238 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种垂直静电放电保护元件及其制作方法，该垂直静电放电保护元件包括：一基底，包括多个沟槽，其中各沟槽中包括一凹槽栅极；一漏极区，设置于两相邻的凹槽栅极间；一静电放电保护掺杂区，设置于各漏极区下；及一源极区，包围上述凹槽栅极和漏极区，且源极区位于上述凹槽栅极和静电放电保护掺杂区下。本发明可垂直设置漏极区、静电放电保护掺杂区和源极区，因此，可减少布局区域，以增加积集度；此外，垂直静电放电保护金属氧化物半导体场效晶体管元件可在开启模式下将元件通道完全打开，以更有效率的操作元件。
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公开(公告)号：CN103008309B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110369740.9
申请日：2011-11-15
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: B08B11/00
CPC classification number: B08B17/025 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 一种晶片洗涤器和晶片清洗方法。一种晶片洗涤器，包括：腔室；支托盘，连接至承轴且位于腔室中，其中支托盘对晶片进行支撑；以及网状内杯，包括多个穿孔且位于支托盘与腔室的侧壁之间，其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。
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公开(公告)号：CN103077941A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210058362.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 南亚科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/823487 , H01L27/0266 , H01L29/0692 , H01L29/4238 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种垂直静电放电保护元件及其制作方法，该垂直静电放电保护元件包括：一基底，包括多个沟槽，其中各沟槽中包括一凹槽栅极；一漏极区，设置于两相邻的凹槽栅极间；一静电放电保护掺杂区，设置于各漏极区下；及一源极区，包围上述凹槽栅极和漏极区，且源极区位于上述凹槽栅极和静电放电保护掺杂区下。本发明可垂直设置漏极区、静电放电保护掺杂区和源极区，因此，可减少布局区域，以增加积集度；此外，垂直静电放电保护金属氧化物半导体场效晶体管元件可在开启模式下将元件通道完全打开，以更有效率的操作元件。
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