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公开(公告)号：CN110342456B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201910558477.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利用CNT优异的电学和热学性能等，可以降低气压计整体功耗，增强散热性能，从而提高气压计的稳定性；门极(Grid)采用深硅刻蚀加工形成具有高深宽比的三维(3D)对称劈尖结构，有效增强了门极中心的电场强度，这种对称的、具有高深宽比的3D尖端结构形成的高电场可以有效的吸收电子，进而可以明显的提升气压计的精度；通过分开放置气压计的上下两部分，可以根据实际需求切割相应大小的芯片，提高了对芯片资源的利用率，能做到量产和小型化。
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公开(公告)号：CN110002396A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910188367.3
申请日：2019-03-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中间层晶圆结构和下层晶圆结构进行预键合，实现常温下的硅硅直接键合；利用键合机将中间层晶圆结构的正面和上层晶圆结构的背面对准，对中间层晶圆结构和上层晶圆结构进行热压键合，得到晶圆级三层结构，所述热压键合使得中间层晶圆结构和上层晶圆结构键合在一起，同时为所述预键合提供退火的过程，使所述预键合达到需求的键合强度和键合区域。本发明仅通过一次具有压力和温度的键合过程即可获得晶圆级三层结构。
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公开(公告)号：CN107092038B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710461918.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/02
Abstract: 本发明公开了一种MEMS重力仪；包括：振子单元，位移传感结构，位移检测电路，腔体和水平调节基座；振子单元设置在腔体的内部，振子单元包括：负刚度弹簧、正刚度弹簧、检验质量和外框；检验质量通过正刚度弹簧和负刚度弹簧与外框相连，且正刚度弹簧与负刚度弹簧关于检验质量对称设置，外框与腔体固联；位移传感结构设置在检验质量的表面，位移检测电路用于检测位移传感结构的位移信号；振子单元通过正负刚度弹簧的匹配实现本征频率的降低；通过检测检验质量的位移进而检测重力加速度的变化。MEMS重力仪稳定性高，体积小，质量轻，能够有效地降低生产成本，并且能有效降低信号检测单元和稳定平台的研发难度。
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公开(公告)号：CN108878296A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810678848.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种三维微凸点的制备方法，包括：在基底上图像化多个金属焊盘；在基底上沉积电镀时所需的导电层，利用刻蚀溶液去除各个金属焊盘上待电镀区域的导电层，旋涂光刻胶，在各个金属焊盘上方待电镀区域形成微尺寸的开口光刻胶掩模，各个金属焊盘面积与其电镀面积的面积比值可控；将具有开口光刻胶掩膜的金属焊盘在焊料电镀溶液中进行电镀，形成一层焊料柱；用有机溶液进行浸泡，去除光刻胶；利用刻蚀溶液去除电镀时连接各个金属焊盘的导电层；对各个金属焊盘上的焊料柱进行回流，得到多个高度不同的焊料凸点，金属焊盘面积与其电镀面积的面积比值越小，焊料凸点越高。本发明通过一次工艺获得三维结构的焊料凸点。
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公开(公告)号：CN106646646A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611163659.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种力平衡式传感器标度因子调节方法，力平衡式传感器包括机械部分、传感计算部分和反馈调节部分；在反馈调节部分中加入一个与输出成比例的调节电压或电流，通过改变该比例因子从而改变标度因子。反馈调节部分包括：第一加法器、反馈放大器模块和调节放大器模块，反馈放大器模块的输入端连接输出电压，调节放大器模块的输入端连接输出电压，第一加法器的第一输入端连接至反馈放大器模块的输出端，第一加法器的第二输入端连接至调节放大器模块的输出端，第一加法器的输出端连接机械部分的反馈控制端。本发明可实现对标度因子的大范围调节，能广泛应用于旋转加速度计重力梯度仪中，有效抑制沿转台平面的平动加速度噪声以及沿转台转轴的角加速度噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104340955A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410464700.6
申请日：2014-09-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微型皮拉尼计的制备方法及其与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。
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公开(公告)号：CN103896206A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410141817.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。
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公开(公告)号：CN118501978A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410755199.2
申请日：2024-06-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于精密测量技术领域，具体公开了加速度计重力梯度仪的运动误差建模和补偿方法与系统。通过本申请，将运动监测传感器安装失准系数融入运动误差模型，构建以任意坐标系运动激励为输入的运动误差模型，从而消除了运动监测传感器安装失准对运动误差补偿精度的影响。在估计运动误差模型参数时，运动监测传感器安装失准系数融合到模型参数被估计，使得运动误差补偿算法不再受运动监测传感器的安装失准影响，简化整个操作过程的同时，提高运动误差补偿精度。此外，在运动误差模型参数估计过程中，在构建损失函数时，引入权系数及正则化项，以抑制数据的随机噪声、异常值以及模型的多重共线性对模型参数估计精度的影响。
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公开(公告)号：CN114089441B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111425819.9
申请日：2021-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种重力梯度仪测量系统数值仿真方法，包括下述步骤：计算加速度计到检测质量的位置向量，并计算加速度计的自噪声；获得输入梯度仪的比力向量，角速度向量；计算加速度计的比力向量在梯度仪测量坐标系的坐标；计算四只加速度计在加速度计测量坐标系的输入轴的比力，输出轴的比力以及摆轴的比力；对重力梯度仪加速度计的比力进行滤波；计算加速度计的输出电压；计算重力梯度仪解调前的信号；判断更新后的时间是否小于仿真总时间，如是则返回，否则对信号Gout抗混叠滤波、降采样、带通滤波，然后进行正交幅值解调，恢复重力梯度信号。
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公开(公告)号：CN112363247B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011163660.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种重力梯度仪运动误差事后补偿方法，包括下述步骤：(1)获得重力梯度仪的输出数据、比力数据、角速度数据和角加速度数据，并对数据进行预处理，将数据分成N个数据块；(2)利用重力梯度仪运动误差模型对N个数据块进行运动误差补偿；(3)将补偿后的N个数据块合并，并进行解调或滤波获得万有引力梯度。本发明基于重力梯度仪运动误差模型，利用匀速勘探的情况下，重力梯度仪运动状态仅与运动误差相关和万有引力梯度响应无关的特性，构建损失函数，利用损失函数最小，估计运动误差传递系数，进而计算出运动误差，剔除重力梯度仪输出数据中的运动误差。本发明同时适用于调制类和非调制类重力梯度仪的运动误差补偿，且操作简单、易实施。
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