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公开(公告)号：CN111129261B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911311802.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED的制备工艺方法及白光LED，包括：制备白光转换板，白光转换板包括：YAG：Ce3+黄色荧光粉层、AlN膜及蓝宝石基底，蓝宝石基底上沉积有AlN膜，AlN膜上覆盖有荧光粉层；将LED芯片阵列固定在已清洁的金属围坝支架内部；利用点胶机在金属围坝支架上点涂密封剂；将白光转换板放置在金属围坝支架上后，在150～160℃温度下烘烤1～1.5h；其中，AlN膜的热导率为300W/(m·K)；AlN膜可以提供高效热导通道；荧光粉颗粒被LED芯片激发产生的巨大热量可经高效热导通道迅速导出至散热器与外部环境中，降低荧光粉的工作温度，提高大功率白光LED的光效与光照质量。
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公开(公告)号：CN111146324A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911164377.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超高显色指数白光LED器件，涉及发光二极管的技术领域。包括陶瓷基板，陶瓷基板上端面的边缘处固定有顶部开口的围坝，陶瓷基板的上端面于围坝内焊接有芯片，围坝内填充有覆盖芯片的荧光胶，荧光胶包含有质量为x的绿色荧光粉、质量为y的红色荧光粉以及质量为z的硅胶，其中，12.5≤x/y≤20.9，1.9≤z/(x+y)≤3.125。通过在上述范围内配比绿色荧光粉与红色荧光粉，以及二者混合后与硅胶进行配比，可以较为容易地使白光LED显色指数超过90，且能得到绿色荧光粉与红色荧光粉在0.15/0.010的比例下，R9可高达98.89。
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公开(公告)号：CN107843567A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710984212.1
申请日：2017-10-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置，其中，光源发射的光线透过偏振模块形成偏振光，偏振光射在待测半导体上，分光光栅使透射出待测半导体的光线转化为待测半导体的透射光谱，光谱仪测量待测半导体的透射光谱；旋转偏振模块，光谱仪测量待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱；根据待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱计算待测半导体面内不同偏振角度的禁带宽度。有益效果：通过分析待测半导体透射光谱中因电子从不同价带跃迁至导带具备的不同吸收特性，利用光源、偏振模块、样品座、分光光栅、光谱仪即可测量半导体禁带宽度面内各向异性，其中光源不需要采用激光光源，成本较低。
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公开(公告)号：CN111842610B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010540105.1
申请日：2020-06-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁驱动‑电液管件成形装置及方法，所述装置包括：电源模块、成形模块、助推模块、成形模具以及固定单元；通过触发成形用电源1‑2，使金属丝2‑2与腔室6中的液体发生化学反应，产生爆炸冲击波，驱使待成形工件发生塑性变形，并在模具型腔4‑1的约束作用下成形；此外，通过助推用电源1‑1触发助推线圈3‑1在驱动板3‑2上产生感应涡流和时变磁场，通过时序配合，为整个成形过程提供轴向助推电磁力，同时，通过驱动板3‑2传递电磁作用力到待成形工件7的端部，从而增大管件的轴向运动趋势，提高材料的流动性。如此，在高速冲击波载荷和驱动板轴向助推力的协同作用下，实现对待成形工件7的塑性变形加工，能有效提高工件的成形能力和贴模性能。
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公开(公告)号：CN114309231A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111563662.6
申请日：2021-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/14
Abstract: 本发明公开了一种消除和调控合金环件残余应力的装置及方法。该装置包括：驱动模块，包括通有第一脉冲电流的驱动线圈，用于在合金环件中产生轴向的脉冲驱动磁场并感应出涡流，使得环件在脉冲驱动磁场和涡流相互作用下产生径向方向变形的电磁力；背景场模块，包括通有第二脉冲电流的背景场线圈，用于在环件中产生与脉冲驱动磁场同向的背景磁场，且背景磁场的脉宽为脉冲驱动磁场脉宽的10倍以上；电源模块，用于提供的第一脉冲电流和第二脉冲电流，并用于互换驱动模块和背景场模块的作用功能，使得环件产生径向方向上的多次振荡变形。本发明不仅可使环件变形更加均匀，更好地消除和调控残余应力，还能有效提升电磁力，并降低线圈的设计难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111922175A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010846240.9
申请日：2020-08-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/12
Abstract: 本发明公开了一种电液爆炸成形装置及方法，属于管件成形制造领域，装置内设置有用于环绕待成形管件的腔室，腔室用于填充反应液体，装置包括：金属丝，环绕待成形管件，且位于腔室内；电源控制模块，连接金属丝的两端，用于为金属丝提供脉冲电流；其中，金属丝利用电液效应在待成形管件表面产生爆炸冲击波，使得待成形管件在爆炸冲击波的作用下变形。金属丝环绕管件，当金属丝在管件表面形成环形回路且管件导电性能良好时，通过电流的瞬间，产生强大的脉冲电磁力和爆炸冲击波组成的高能量密度载荷作用于管件，使管件发生高速率的屈服和塑性变形，可用于各种复杂形状管件的成形，成形过程中无污染物产生，环保高效。
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公开(公告)号：CN114309231B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111563662.6
申请日：2021-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/14
Abstract: 本发明公开了一种消除和调控合金环件残余应力的装置及方法。该装置包括：驱动模块，包括通有第一脉冲电流的驱动线圈，用于在合金环件中产生轴向的脉冲驱动磁场并感应出涡流，使得环件在脉冲驱动磁场和涡流相互作用下产生径向方向变形的电磁力；背景场模块，包括通有第二脉冲电流的背景场线圈，用于在环件中产生与脉冲驱动磁场同向的背景磁场，且背景磁场的脉宽为脉冲驱动磁场脉宽的10倍以上；电源模块，用于提供的第一脉冲电流和第二脉冲电流，并用于互换驱动模块和背景场模块的作用功能，使得环件产生径向方向上的多次振荡变形。本发明不仅可使环件变形更加均匀，更好地消除和调控残余应力，还能有效提升电磁力，并降低线圈的设计难度。
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公开(公告)号：CN114900039A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210511208.4
申请日：2022-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了数字峰值电流模式控制方法、系统及扩展脉宽调制方法，属于电力电子技术领域。本发明的数字峰值电流模式控制方法，用于控制升压变换器，所述升压变换器包括功率级，所述功率级包括开关管S和电感，所述控制方法包括：步骤S1、对所述电感上的电流采样；步骤S2、在每个开关周期的低电平时间内，根据采样电流计算占空比；步骤S3、对所述占空比进行脉宽调制，产生脉冲信号；步骤S4、用所述脉冲信号控制所述开关管S的导通和断开，进而调控所述电感的峰值电流。本发明的控制方法中，电流跟踪延迟为一个开关周期，相比现有技术，减小了CTD的时间，提升了DC‑DC转换器的系统响应速度及瞬态性能。
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公开(公告)号：CN112171046B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202011004820.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高速冲击焊接方法、焊接系统及应用，属于异种金属焊接技术领域，该方法包括以下步骤：获取待焊接基件的焊接窗口；根据焊接窗口在所述基件的待焊接区域加工出波形结构；将外界场能作用于飞件表面，驱使所述飞件发生形变并与所述基件发生碰撞，在碰撞点处产生射流现象并发生原子间的扩散，实现所述飞件与所述基件的焊接。本发明通过在基件的待焊接区域加工具有一定空间分布的特定形貌，该形貌特征能够尽可能的为每一处碰撞点提供一个合适的碰撞角度，使这些碰撞点处于能够实现焊接的冲击速度、角度的窗口内，从而实现大面积、大区域的连续焊接，能够提高焊缝质量，增大焊接面积，提升焊接件的整体性能。
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公开(公告)号：CN113206174A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110397975.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。
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