-
公开(公告)号：CN115898705A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211678746.9
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学 , 湖北航天技术研究院总体设计所
Abstract: 本发明属于固体发动机在线检测相关技术领域，其公开了用于燃面退移监测的柔性阵列传感器及其制备方法与应用，柔性阵列传感器呈条状，其包括聚合物薄膜衬底、上电阻阵列、下电阻阵列、单侧公用引线、单侧短引线及单侧长引线，上电阻阵列及下电阻阵列间隔设置在聚合物薄膜衬底上，两者并列；单侧公用引线、单侧长引线及单侧短引线分别设置在聚合物薄膜衬底上；上电阻阵列的两侧分别连接于单侧公用引线及单侧长引线，下电阻阵列的两侧分别连接于单侧公用引线及单侧短引线；使用时，单侧公用引线、单侧长引线及单侧短引线分别连接于电阻测量模块。本发明根据电阻发生变化实现对燃面位置的实时监控。
-
公开(公告)号：CN115079513A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210590241.0
申请日：2022-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性电子器件制备相关技术领域，其公开了一种基板结构化处理的嵌入式微纳器件及其喷印制备方法，包括以下步骤：(1)提供纳米压印模板，纳米压印模板的表面上形成有多个拱形的条状凸起；(2)在柔性透明基板上旋涂聚合物胶液，并采用纳米压印模板连续压合进所聚合物胶液，进而得到结构化基板，得到的聚合物胶层形成有多个沟道；(3)对结构化基板进行局部亲/疏水处理，以使沟道的底面及侧壁面具有亲水性，沟道侧壁的上表面具有疏水性；(4)利用电流体喷印方式在结构化基板的沟道内填充纳米金属浆料，进而得到嵌入式微纳器件。本发明实现了大面积、曲面制造，克服了现有制造技术的局限性，还具有成本低、效率高等优点。
-
公开(公告)号：CN112928211A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110280005.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域，其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法，包括以下步骤：(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层；(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜，电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变，使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点，进而实现法向曲面自对准；(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线，且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道；(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态，继而实现自对准封装，由此制造完成。本发明通过电流体喷印自对准工艺实现了曲面基底上薄膜晶体管的原位制备与自封装。
-
公开(公告)号：CN111189493B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911299342.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于柔性电子皮肤领域，并公开了一种多物理场测量的柔性智能蒙皮、变胞结构及其应用。该柔性智能蒙皮自上而下依次包括第一电极、介电层、第二电极、压电层和第三电极，其中，第一电极、介电层和第二电极形成电容传感器，第二电极、压电层和第三电极形成压电传感器；第二电极包括两根电阻，分别为第一电阻和第二电阻，第一电阻形成电阻传感器，第一电阻和第二电阻共同形成电容传感器；第三电极包括电阻两根热电系数不同的电阻，分别为第三电阻和第四电阻，第三电阻形成电阻传感器，第三电阻和第四电阻共同形成热电偶传感器。通过本发明，实现压力，温度，应变，振动，湿度，流速和健康状态等物理量的测量，功能高度集成，结构的简化。
-
公开(公告)号：CN109664493B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811524382.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于功能薄膜的技术领域，并公开了一种可图形化调控功能薄膜润湿性的高效等离子体方法。该方法包括下列步骤：(a)选取一维纳米材料和粘性热塑性材料制备基体薄膜；(b)采用等离子体射流在相应的气体氛围下来回扫描基体薄膜的一维纳米材料，以此将所述基体薄膜的表面疏水化/亲水化，即获得所需的功能薄膜；(c)再次采用等离子射流在功能薄膜上局部逐点扫描或者图案化扫描形成亲水/疏水图案，该亲水/疏水图案用于调节所述功能薄膜的润湿性。通过本发明，为高效收集空气中水分或者表面复杂流道提供了一种有效的新途径，在调控微区润湿性、微流道、新能源等领域有着潜在的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110926387A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911194726.2
申请日：2019-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B17/04
Abstract: 本发明属于应变测量领域，并具体公开了一种柔性可拉伸应变传感器及其制备方法，包括柔性基底、共面波导传输线、第一缝隙阶跃阻抗谐振器和第二缝隙阶跃阻抗谐振器，共面波导传输线、第一缝隙阶跃阻抗谐振器和第二缝隙阶跃阻抗谐振器均设置在柔性基底上；共面波导传输线整体外轮廓与柔性基底相同，其包括信号传输线、第一地线和第二地线，第一缝隙阶跃阻抗谐振器包括第一方块和第二方块，第二缝隙阶跃阻抗谐振器包括第三方块和第四方块，第三方块与第一方块大小相同且对称分布，第四方块与第二方块大小不同。本发明具有灵敏度高、稳定性好、拉伸动态范围大、制备简单、能实时测量且能同步检测两个不同方向上的拉伸应变的优点。
-
公开(公告)号：CN107199693A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710252260.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: B29C64/10 , B29C64/209 , B29C64/307 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种集成等离子体射流技术的喷印装置，该装置包括喷头、高压电源、收集基板和进液筒。本发明利用高压电源产生喷印工艺电场需求和作为等离子体射流的激励源，并借助气体放电产生等离子体射流，可在同一装置上实现电流体喷印加工(增材加工)与等离子体刻蚀加工(减材加工)的联合应用，包括在加工过程中用等离子体对电喷印材料进行实时表面改性、电喷印沉积材料的烧结固化、同步进行增减材加工以实现复杂图案及多层结构的快速成型。本发明提出的喷印装置能以组合方式或阵列方式应用，可用于大面积、多层、复杂结构的制备。本发明应用能带来加工效率、材料性能的提升，在MEMS加工制造及电流体喷印领域都具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN120076206A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510211027.3
申请日：2025-02-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微孔金属化相关技术领域，其公开了一种叠层复合材料多层电路及其垂直互联微孔的金属化方法，步骤为：将固态锡球填入叠层复合材料多层电路的垂直互联微孔中，并采用激光对所述锡球进行加热以使得所述锡球熔融而填充微孔，实现垂直互联微孔的金属化；或者，在高压保护气体氛围下采用激光对锡球进行加热，以使使熔融的锡球在所述高压保护气体的作用下喷入所述微孔中，实现垂直互联微孔的金属化。本发明实现了叠层复合材料多层电路垂直互联微孔的快速金属化。
-
公开(公告)号：CN115972769B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310169028.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体的防串扰阵列化电流体喷印装置及方法，属于喷墨打印技术领域。喷印装置包括阵列化喷印头和阵列化等离子体模块。阵列化喷印头由多个供墨喷嘴组成喷头组，供墨喷嘴上端与供墨单元连接；阵列化等离子体模块产生等离子体并形成等离子体气态环形电极；待打印的基板接地，并与等离子体气态环形电极之间形成电场，电场引导供墨喷嘴发生泰勒锥喷射，使高分辨率的墨液沉积在基板上。由等离子体构成的气态环形电极可由等离子体的放电气体或电压分别控制，阵列化的气态环形电极之间不会发生串扰，电喷印喷嘴可独立控制；能够在大面积显示面板像素阵列、传感器阵列等的高精度、高分辨率、高效率制造方面提供新的技术支撑。
-
公开(公告)号：CN114975778B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210593244.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性微电子器件制备相关技术领域，其公开了一种互补式柔性人工突触阵列及其电流体喷印制备方法，包括以下步骤：(1)在亲水处理后的透明基底上制备聚酰亚胺层；(2)在聚酰亚胺层上制备氧化铟锡调节层；(3)氧化铟锡调节层上沉积金属纳米线；(4)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在在金属纳米线的相应位置沉积底层有机聚合物电极；(5)在底层有机聚合物电极上自下而上依次沉积下层有机阻变层、中间层有机聚合物电极、上层有机阻变层；(6)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在每排上层有机阻变层上制备顶层有机聚合物电极，继而得到互补式柔性人工突触阵列。本发明实现了柔性人工突触结构的大规模快速制备，并克服了漏电流问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.021 seconds)
