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公开(公告)号：CN110600532B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911103786.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列层；第一有机绝缘层；多个第一电极；第二有机绝缘层；有机发光层；以及，第二电极；第一电极、有机发光层以及第二电极构成有机电致发光器件；相邻的具有相同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第一间隔，对应于第一间隔的第二有机绝缘层具有第一高度；相邻的具有不同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第二间隔，对应于第二间隔的第二有机绝缘层具有第二高度；第二高度大于第一高度。本发明可降低制作难度，提升打印精度和打印速度，提升有机发光层的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN110689848A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911256185.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/3233 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示装置和驱动方法。显示装置具有显示区域、驱动电路区域以及位于显示区域与驱动电路区域之间的过渡区域；在第一方向上，过渡区域的宽度小于驱动电路区域的宽度，过渡区域的宽度小于显示区域的宽度；显示装置还包括设置于显示区域的阵列排布的多个像素电路；像素电路包括相互电连接的第一发光元件和像素驱动电路，像素驱动电路用于为第一发光元件提供驱动电流；第一发光元件包括第一电极、第二电极，以及，位于第一电极和第二电极之间的发光层；不同的所述第一发光元件包括的第一电极彼此间隔设置。本发明在显示区域和驱动电路区域之间设置过渡区域，在所述过渡区域内能够设置虚拟发光元件，以提升发光显示的均匀性。
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公开(公告)号：CN110600532A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911103786.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列层；第一有机绝缘层；多个第一电极；第二有机绝缘层；有机发光层；以及，第二电极；第一电极、有机发光层以及第二电极构成有机电致发光器件；相邻的具有相同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第一间隔，对应于第一间隔的第二有机绝缘层具有第一高度；相邻的具有不同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第二间隔，对应于第二间隔的第二有机绝缘层具有第二高度；第二高度大于第一高度。本发明可降低制作难度，提升打印精度和打印速度，提升有机发光层的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN105627995B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610196256.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G01C11/02
Abstract: 本发明提供一种摄像装置、转动装置、测距装置、测距系统和测距方法，该摄像装置用于对目标物体进行测距，包括：一摄像头，包括一感光器件和一透镜组；一转动机构，带动所述摄像头以所述感光器件的中心点所在直线为旋转轴，在一转动平面上的第一位置和第二位置之间转动，其中，所述摄像头位于第二位置时，所述目标物体在所述感光器件上的成像位置在一投影平面上的投影位于所述感光器件的中心点在所述投影平面的投影上，所述投影平面平行于所述转动平面。摄像头在第一位置时目标物体在感光器件上的成像位置，以及摄像头在第一位置和第二位置之间的转动角度，可用于计算目标物体与摄像头的距离，即采用一个摄像头便可完成物体的测距。
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公开(公告)号：CN105280141B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098559A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610451639.0
申请日：2016-06-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成栅电极和栅介质，其中栅电极部分覆盖于衬底上，栅介质覆盖于衬底和栅电极上；在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导电层并经过光刻和刻蚀后形成源区和漏区；在栅介质、源区和漏区上形成有源区；在栅介质、源区、漏区和有源区上形成源区接触电极和漏区接触电极；对器件进行退火处理。本发明的有益效果在于，在退火过程中，源区和漏区中的铝和/或钛将扩散进入与之接触处附近的有源区内，形成低阻的接触过渡区，能有效降低源区/漏区与有源层的接触电阻，从而减小源/漏寄生电阻对器件特性的影响。
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公开(公告)号：CN105627933A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610099285.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01C3/00 , G01B11/026
Abstract: 本发明的实施例提供一种测距模组、三维扫描系统以及测距方法。该测距模组，包括：摄像头，该摄像头包括：镜头，包括透镜组且具有光轴；第一和第二反射镜，构造为反射来自所述镜头的成像光；第一和第二图像传感器，分别对应于所述第一和第二反射镜且分别接收来自所述第一和第二反射镜的成像光以成像，分别具有第一和第二感光面，所述第一和第二感光面具有第一和第二中心点，其中，所述第一和第二中心点的连线垂直于所述镜头的光轴，所述第一和第二感光面相对于所述第一和第二中心点的连线倾斜，所述第一和第二感光面相对于所述连线分别具有第一和第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角至少之一不为零。
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公开(公告)号：CN103490769B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN104867983A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510172561.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/42356 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是通过光刻胶和栅电极的斜坡结构以及一次额外的栅刻蚀，在晶体管沟道内形成自对准的LDD/Offset区域，而LDD/Offset的长度可以由刻蚀速度和刻蚀时间精确控制，从而达到降低TFT关态电流的目的。该技术工艺过程简单，不增加任何光刻版；整个TFT的制造过程与传统的工艺相比仅需增加一次重复的栅刻蚀，工艺方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，适用于薄膜晶体管的大规模生产，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN104681622A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310613115.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/1033 , H01L29/66742 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法。本发明的非晶氧化锌基薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其中，沟道层的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料，氧化铝含量为3%～9%（质量），氧化锡含量为3%～50%（质量）。本发明制备的ATZO半导体薄膜晶粒尺寸在10nm左右，且分布均匀，属于纳米晶体氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件包括迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅率等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术等优点。
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