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公开(公告)号：CN109065498A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN108083226A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711268166.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
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公开(公告)号：CN113916255B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN113916255A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112255526A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010942379.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01R31/28 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法，该方法将具有TSV菊花链测试结构的测试芯片，通过贴片胶及键合金丝连接至印制电路板；对载有测试芯片的印制电路板进行冷镶嵌，并通过磨抛获得TSV菊花链结构横截面，完成测试结构的制备；将测试结构放入管式炉中，向管式炉内通入保护气体；通过导线连接印制电路板的焊盘与直流电源，使测试结构处于通电状态，通过控制两端导线与电源连接的正负极来控制电流方向，通过控制通电电流的大小及TSV直径来控制电流密度，获得具有特定电流方向及特定电流密度的电流；测试期望通过对电流作用下铜填充TSV的显微组织演变行为进行表征，最终达到深入评价电流作用下铜填充TSV电迁移可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN115497896B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211059112.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法，所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层；硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片；上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域，形成密封的流道结构，下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口；上层硅片和下层硅片的TSV结构相对，中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口，接触窗口内表面制备有图形化电极互联线；TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线，同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。
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公开(公告)号：CN114975318A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472027.5
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L23/473 , H01L21/50 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制造方法，包括包括依次电连接的第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板，第二无源转接板朝向第三无源转接板的表面电连接有第一有源芯片，第三无源转接板开设有容置第一有源芯片的空腔，第四无源连接板设置有第二有源芯片，第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板依次设置第一散热系统、第二散热系统、第三散热系统、第四散热系统；第一散热系统包括开设于第一无源转接板表面的两个底部凹槽、连通两个底部凹槽的腔体，第二散热系统、第三散热系统与第四散热系统贯通，并分别与两个底部凹槽贯通，形成散热微流道。提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN108529550A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810401013.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法，MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构，三层结构键合在一起，形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构；衬底层上布有电极图形，并采用共面电极实现空腔结构内的器件层结构与空腔外电极焊盘的互联；在器件层与衬底的键合面上，具有阵列凹坑结构。并且在器件层的键合密封环上有贯通于密封腔内外的凹槽结构，凹槽结构在晶圆键合后将被键合介质与硅的共晶体所填充。该结构有助于提高金-硅键合强度，并能够有助于提高真空密封的真空度。在该结构的制造工艺中，使用气态HF对键合表面进行处理，去除表面的二氧化硅，保障金-硅键合强度的同时避免微结构的粘连。
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公开(公告)号：CN107963609A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711140014.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C1/00261 , B81C1/00325
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅-硅焊料键合、硅-硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。
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