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公开(公告)号：CN112578146A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011449418.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计，涉及MEMS惯性器件领域。所述加速度计包括结构层、衬底层以及硅盖板。加速度计的敏感结构包括四组正交分布的敏感质量单元以及一个不平衡质量块。每组敏感质量单元与中心质量块通过两条连接梁相连。每个检测质量块中心包括两个锚点，每个锚点由两条弹性扭转梁连接到检测质量块。本发明的低交叉轴灵敏度的Z轴MEMS加速度计，其优点是具有大质量块的敏感结构，通过多差分质量块降低共模干扰，通过正交分布的敏感质量单元实现较低的交叉轴灵敏度。
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公开(公告)号：CN111122904A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911330733.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单晶硅晶片，利用湿法腐蚀工艺制作结构层，三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起，在上极板背面生长铬金薄膜，最后切割上电极圆片露出焊盘，切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点，简单易操作，对键合表面的要求低，本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件，热失配问题小、寄生电容小，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN110926444A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911313234.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5621 , G01C19/5614 , G01C19/5628
Abstract: 一种振动非敏感硅微机电陀螺，包括四质量音叉微结构、控制电路、封装壳体和减振器组件；四质量音叉微结构是基于SOG工艺加工的双自由度运动的微结构，四个质量块在受力情况下沿平面内X和Y方向运动；控制电路由C/V变换电路、驱动轴自激回路、检测轴力平衡回路、MCU控制电路等组成；封装壳体将微结构和控制电路板封装在一起，并通过壳体四个安装孔形成外部机械接口；减振器组件是电路板与封装壳体之间的连接机构。本发明是一种高精度振动非敏感硅微机电陀螺，测量精度高、抗振动冲击，可广泛应用于制导炸弹、便携防空导弹、智能炮弹、无人机、导航设备等系统，用于测量载体绕固定轴相对惯性空间的的旋转角速率。
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公开(公告)号：CN107228979A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710399996.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种基于时钟移相的全数字频率测量系统，包括参考时钟模块、计数器模块、触发器模块、时分复用模块、寄存器模块、状态解码模块以及计算模块。参考时钟模块提供多路频率相同，但存在相位差的高频时钟信号，计数器模块对输入信号和一路高频时钟信号进行脉冲值计数。触发器模块、时分复用模块以及寄存器模块，用于锁定、存储在对输入信号进行计数的起始时刻、结束时刻时各路高频时钟的状态向量。状态解码模块对多路高频时钟的状态向量解码，再通过计算模块得到输入信号频率测量值。本发明避免了传统频率测量单纯追求提高时钟频率，来提高频率分辨率的技术方案，将提高时钟频率转换为存在相位差的多路时钟，实现时钟细分，提高频率测量分辨率。
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公开(公告)号：CN114236177B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111402085.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构。每个敏感质量单元中的敏感质量块采用三锚点四扭转梁结构，包含四条扭转梁和三个锚点，其中位于敏感质量块内部的锚点通过两条弹性扭转梁连接到敏感质量块，位于敏感质量块两侧的两块锚点分别通过一条弹性扭转梁连接到敏感质量块。敏感结构外侧布置有等电位锚点，在加速度计的阵列式敏感结构与电极间形成电学连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113702664B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110820823.9
申请日：2021-07-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法，该方法包括如下步骤：从系统函数波特图得出宽频加速度计需要的带宽对应的谐振频率和Q值，通过梁结构控制谐振频率，在圆片级封装键合阶段控制腔内气体压力来控制Q值。结构的加工是在SOI片上进行活动腔体的加工，再干法加工出梳齿结构，电极片采用底层连线，中间绝缘层，上层键合金属区分布。本发明可以加工出一种宽频梳齿加速度计敏感芯片，实现宽带宽加速度计的应用，本发明能确保芯片的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN113376403A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110518255.7
申请日：2021-05-12
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种有冗余功能的MEMS加速度计检测模块及其制作方法，其中，该模块包括电路板、四个定位孔、金属底座、四个定位柱、三个固定块、垫片、MEMS芯片、ASIC芯片、电源管理芯片和盖板；其中，金属底座的四个角上分别设置有定位柱；电路板的四个角上开设有与每个定位柱相对应的定位孔，电路板通过定位孔套设于每个定位孔相对应的定位柱；电路板的一个对角线上设置有三个固定块；每个固定块的上表面设置有垫片，垫片的上表面设置有MEMS芯片，MEMS芯片的上表面设置有ASIC芯片；电源管理芯片设置在电路板上；盖板与金属底座的顶部相连接。本发明提高了单通道检测的可靠性，又隔离了来自金属外壳的应力，还提供了均匀的温度环境。
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公开(公告)号：CN113371668B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
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公开(公告)号：CN114236177A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111402085.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构。每个敏感质量单元中的敏感质量块采用三锚点四扭转梁结构，包含四条扭转梁和三个锚点，其中位于敏感质量块内部的锚点通过两条弹性扭转梁连接到敏感质量块，位于敏感质量块两侧的两块锚点分别通过一条弹性扭转梁连接到敏感质量块。敏感结构外侧布置有等电位锚点，在加速度计的阵列式敏感结构与电极间形成电学连接。
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公开(公告)号：CN113371668A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
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