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公开(公告)号：CN101840993A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108928856B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN106480413A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611141905.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法，属于无机非金属薄膜材料领域，本发明是在衬底材料表面生长具有与稀土镍基钙钛矿氧化物材料晶格参数相近的氧化物材料缓冲层；在缓冲层表面进一步利用真空沉积法沉积稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜。所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合；所述缓冲层材料的组分优选：锶铷氧、钛酸锶、镧掺杂钛酸锶、钕掺杂钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙。本发明提供了一种简便高效制备稀土镍基钙钛矿氧化物多晶薄膜材料的方法，所制备的薄膜材料具有优异的温致与氢致性能，可以进一步应用于功能电子器件、燃料电池、红外探测器件等领域。
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公开(公告)号：CN102129863B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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公开(公告)号：CN203521478U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320599712.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型公开了铁电/铁磁超晶格结构及其存储器件。所述超晶格结构包括：单晶底层；位于单晶底层上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于底电极层上由无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层，其中无铅压电陶瓷层和多铁薄膜层一起形成外延结构。所述存储器件包括上述的超晶格结构。这种超晶格结构可以广泛用于磁控、电控、磁电互控的铁电存储器件。
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