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公开(公告)号：CN107316799A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN119936437A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411862897.9
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种原子力显微镜的悬臂梁探针、制备方法及成像方法，涉及半导体测试技术领域；方法包括：将头端带有纳米级针尖的第一类型原子力显微镜探针的悬臂梁通过固化连接方式固定在第二类型原子力显微镜探针的针尖上，以形成将第一类型原子力显微镜探针的纳米级针尖作为其针尖的第二类型原子力显微镜的悬臂梁探针；其中，第二类型原子力显微镜探针为微米级针尖，该微米级金属针尖形成在石英音叉的一个悬臂梁上；第一类型原子力显微镜探针的悬臂梁的背对纳米级针尖的一面与微米级针尖固定连接，且固定连接的位置靠近第一类型原子力显微镜探针的悬臂梁的末端；能够解决传统的qPlus探针在进行磁性材料的磁畴成像时，难以达到足够的分辨率的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119881380A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411980585.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01Q60/50
Abstract: 本发明提供一种用于超高真空磁力显微镜的传样装置及传样方法，传样装置包括：工作箱体、过渡箱体、送样组件、传样组件、存样组件和开关结构。工作箱体能抽成设定真空度，工作箱体内具有测试位置、中转位置和暂存位置，测试位置用于放置样品托和针尖托，中转位置用于传样组件对送样组件、存样组件上的样品托和针尖托进行取放，暂存位置用于暂存样品托和针尖托。相比于现有技术频繁开启工作箱体的操作，整个工作过程不会影响工作箱体的真空度，不会破坏已经建立的超高真空环境，整个操作过程简单快捷，方便了样品的传送。在工作箱体内部可完成在测试位置对不同样品托或者针尖托的替换，无需开启工作箱体，保证了传样过程中工作箱体真空度的稳定。
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公开(公告)号：CN119556212A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510124514.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种电学测试平台、在磁场环境测量样品阻值的方法及观测磁畴运动的方法，该电学测试平台包括：电流源表、电压表、电磁铁、测试底座、原子力显微镜、第一样品托和第二样品托。第一样品托用于承载样品，电流源表和电压表均能与测试底座电性连接，电流源表用于提供给样品电流，电压表用于测量样品的电压，用于在磁场环境下测量样品的电阻。第二样品托用于放置样品，第二样品托能固定设置在原子力显微镜内，电流源表能与样品电性连接，用于在电流环境下观测样品的磁畴运动。
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公开(公告)号：CN119038993A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411115786.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C09K5/02 , H01C7/00 , H01C7/04 , H01H37/02 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 一种掺杂二氧化铌敏感电阻材料的助熔剂合成方法，属于热敏电子相变领域。具体地涉及一种使用助溶剂降低反应温度的方法，通过高、低价态铌前驱体配料、惰性或真空气氛下的助熔反应，批量合成掺杂二氧化铌电子相变材料，制备出粉体、陶瓷或薄膜材料。本发明通过引入与合成材料晶格参数相近的碱金属卤化物助熔剂，为新相生长提供了非均匀形核条件，降低了新相形核生长的自由能，大幅降低材料合成所需反应温度与反应时间，可实现高纯度高均匀性的材料在可调控的气氛下的放量制备。反应速度快、减少了能源消耗，所制备的掺杂二氧化铌电子相变材料化学式为Nb1‑xMxO2：M为稀土元素或过渡族金属元素，在高温热敏电阻、临界温度系数热敏电阻、非易失性存储、传感器等领域具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN108928856B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN106480413A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611141905.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法，属于无机非金属薄膜材料领域，本发明是在衬底材料表面生长具有与稀土镍基钙钛矿氧化物材料晶格参数相近的氧化物材料缓冲层；在缓冲层表面进一步利用真空沉积法沉积稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜。所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合；所述缓冲层材料的组分优选：锶铷氧、钛酸锶、镧掺杂钛酸锶、钕掺杂钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙。本发明提供了一种简便高效制备稀土镍基钙钛矿氧化物多晶薄膜材料的方法，所制备的薄膜材料具有优异的温致与氢致性能，可以进一步应用于功能电子器件、燃料电池、红外探测器件等领域。
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