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公开(公告)号：CN1763267A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510086580.1
申请日：2005-10-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，属于直流等离子体技术领域。大颗粒单晶金刚石是在5－100kW直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为10－2－10－1Pa，充入反应气体后，沉积腔的压强在100－104Pa之间，充入的反应气体为Ar、H2和CH3，流量分别为：Ar为1－3slm；H2为4－8slm；CH3为100－300sccm。等离子体的成分为H、CH、C2激元；基材为 ±30°晶体取向的单晶金刚石；基材在制备中过程中温度始终保持在950－1100℃之间。本发明的优点在于：提供了一条快速制备单晶金刚石的途径，使单晶制备速度达到30－40mg/h。
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公开(公告)号：CN1632165A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101846.0
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法。采取等离子体CVD技术，由含有氢、碳和硅元素的气体混合物为反应气体，在硬质合金工具上沉积含有金刚石相和硅的金刚石涂层；其中，硅是在金刚石涂层的CVD过程进行的同时，被沉积到金刚石涂层中以及金刚石涂层与硬质合金工具的界面处的；硅元素在金刚石涂层与硬质合金工具界面处的存在与富集使金刚石涂层对硬质合金工具形成高的附着力。所述的CVD技术包括：微波等离子体CVD技术、热丝CVD技术、直流电弧等离子体CVD技术。本发明的优点在于：有效地提高金刚石涂层的附着力并简化了涂层的制备工艺。
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公开(公告)号：CN1542905A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200310103181.2
申请日：2003-11-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2932338Y
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200620023059.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置，属于金刚石涂层技术领域。包括：阴极部分、真空室、真空泵系统、压力测控装置、电源、阴极杆、阴极体、阳极、直流电弧弧柱、制品架、磁场线圈。在拉长的直流电弧弧柱(9)的周围装置有一金属圆环(14)，金属圆环(14)和其上焊接的异类金属导体(15)都具有较大的热容量；在圆周方向上，金属圆环(14)和其上的异类导体(15)间隔90度设置，保证其对设备几何中心的高度对称性。本实用新型的优点在于：利用结构上高度对称、同时又有较大的热容量的组合式温度测量装置，可克服使用直流电弧等离子体化学气相沉积装置对大量工件进行金刚石涂层时，涂层的沉积温度难于测量的技术难题。
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公开(公告)号：CN201063955Y
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200720103741.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 一种直流电弧喷射等离子体分束器，属于直流电弧喷射等离子技术领域。由遮蔽板、支杆、底座、封闭栓组成；在底座上安装可以调节高度的支杆，支杆上安置采用高熔点材料制成的遮蔽板，在遮蔽板上间隔开出可开闭的束流孔；遮蔽板(1)与封闭栓(2)采用间隙配合，遮蔽板(1)与支杆(3)也采用间隙配合，支杆(3)与底座(4)采用螺纹连接。本实用新型的优点在于，可以对直流电弧喷射等离子体进行分流和约束，使分流束中的等离子体均匀性得到改善，装置简单，操作简便，而且避免了电磁场和流场扰动对等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN2793101Y
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200420121006.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本实用新型提供了一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置，由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本实用新型的优点在于：寿命与结构稳定性将可获得大幅度的改善并可靠性提高。
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公开(公告)号：CN2763249Y
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200520022774.0
申请日：2005-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型属于无机非金属材料领域，特别涉及一种应用在对金刚石膜片进行热化学抛光加工时所采用的夹持装置，尤其适于要求夹具做旋转运动的工况下使用。抛光夹具由齿轮(1)、键(2)、夹套(3)组成；夹套(3)放入齿轮(1)中，用键(2)连接。使用时将将金刚石膜片置入夹套之中，金刚石膜片与夹套间无固定约束，键与金刚石膜之间根据需要加不同重量的金属块，对金刚石膜施加载荷，齿轮和键同时作为载荷施加在陶瓷夹套上，保证陶瓷夹套和抛光盘紧密接触，减少夹具与抛光盘之间的空隙，从而避免金刚石膜片在旋转抛光过程中从夹具与抛光盘之间的空隙处滑脱，且金刚石膜片不随抛光夹具旋转，只是在金属块的压力下与抛光盘做平动运动，不会对金刚石膜造成损害。
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公开(公告)号：CN200970858Y
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200620023026.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: B28D5/04
Abstract: 一种金刚石膜剪切器，属于金刚石膜加工技术领域。包括：刀杆、刀头、压块和垫块四部分；其中，刀头和刀杆采用钎焊连接，压块和垫块具有同轴螺纹，彼此间采用螺栓连接。刀头和刀杆构成装置的滑动部件，可在压块的特定滑道上高速滑动，起高速冲击剪切的作用；压块和垫块构成装置的夹持部件，起夹持CVD金刚石膜片和稳定装置的作用。本实用新型的优点在于：由于采用冲击剪切的方法，避免了普通剪切要求被剪试样塑性变形的过程，使裂纹只沿剪切平面扩展，保证了切口的平直；由于压块和垫块的紧密压合，切口裂纹不能向非剪切部分扩展，保证了膜体质量不退化。并且装置简单，操作简便。
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