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公开(公告)号：CN103102079A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110355269.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于适合于高压直流环境使用的玻璃陶瓷电介质技术领域的一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质及其制备方法，其成分组成为：xPbO-yBaO-zSrO-aNb2O5-bNa2O-cSiO2-dR，且满足0≤x≤17.1，0≤y≤17.5，0≤z≤14.3，10.7≤a≤34，11≤b≤25.4，28≤c≤47，0≤d≤4.5，其中，R作为辅成分，为MnO2，MgO，CaO，ZnO中的至少一种氧化物，x、y、z、a、b、c、d为摩尔比。本发明的玻璃陶瓷电介质具有高击穿场强、高介电常数、良好的介电常数温度稳定性，实现了无孔隙，直流击穿场强可达到50kV/mm以上。
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公开(公告)号：CN102030524A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910093586.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米MgO。本发明提供的钛酸锶钡基固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的致密度提高到98.5％以上，晶粒细化到1～2微米，介电常数保持在260～500，介电损耗降低到在4～6×10-4左右，脉冲击穿场强提高到24～45kV/mm，储能密度提高到0.67～1.14J/cm3，很好的满足了固态脉冲形成线储能介质材料的应用要求。
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公开(公告)号：CN101748319A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810239845.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料，此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率，可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上，并且不破坏元器件原有的散热条件，保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。
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公开(公告)号：CN103848571B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210519441.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C8/14
Abstract: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96％ZnO粉、2％～3.0％MnO2粉、1％～1.5％Cr2O3粉、1％～1.5％Bi2O3粉；具有非线性电阻特性陶瓷粉与低熔点玻璃粉的重量比为100∶(75～125)；乙基纤维素的含量为陶瓷粉与低熔点玻璃粉总重量的30％。其制备方法为：将陶瓷粉与过400目筛的低熔点玻璃粉按比例混合均匀；然后向得到的混合粉末中加入乙基纤维素，然后混合均匀。将该玻璃釉涂覆于留边型玻璃陶瓷高压电容器电极边缘对电极边缘进行保护，可明显提高玻璃陶瓷高压电容器交流电压击穿强度。
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公开(公告)号：CN103848573A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210519413.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a？PbO-b？BaO-c？Na2O-d？Nb2O5-e？SiO2-fR2O3，其中a、b、c、d、e、f表示各组分之间的摩尔比例，分别为0≤a≤7.1，6.2≤b≤17.1，15.5≤c≤17.1，29.7≤d≤34.3，31≤e≤38.5，0≤f≤3，R为La、Ce、Pr、Sm和Lu中的一种。该介电玻璃陶瓷复合材料通过高温熔融与可控结晶的方法制得：首先将球磨后的精细粉末采用熔融加快速冷却的方法制得透明玻璃薄片，然后经过可控结晶技术制备出玻璃陶瓷片，最后成形加工与制备金属电极得到介电玻璃陶瓷平板电容器。本发明所制备的介电玻璃陶瓷由纳米尺度高介电常数铁电铌酸盐相与无孔致密高击穿强度的非晶玻璃相构成，兼具高储能密度与高温度稳定性的优点，用于制造高压高储能电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102435671A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010297448.6
申请日：2010-09-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N27/92
Abstract: 本发明公开了属于功能材料及击穿场强测试技术领域的一种提高玻璃陶瓷脉冲击穿性能的测试介质及测试性能。该测试介质为丙三醇，具有≈42.5的介电常数以及≈20kV/2.5mm的击穿场强。测试方法为：制备玻璃陶瓷样品，将所得的玻璃陶瓷样品两面分别镀金膜，作为待测电容器的电极；将所得的电容器放入测试介质中测量其脉冲击穿场强，所述测试介质为丙三醇。本发明提出的测试介质丙三醇非常适合作为固体高介电常数材料的脉冲击穿测试介质。
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公开(公告)号：CN102030524B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910093586.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米MgO。本发明提供的钛酸锶钡基固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的致密度提高到98.5％以上，晶粒细化到1～2微米，介电常数保持在260～500，介电损耗降低到在4～6×10-4左右，脉冲击穿场强提高到24～45kV/mm，储能密度提高到0.67～1.14J/cm3，很好的满足了固态脉冲形成线储能介质材料的应用要求。
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公开(公告)号：CN201036170Y
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200720148821.5
申请日：2007-04-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01G4/008
Abstract: 本实用新型公开了一种电容器内电极的制备结构，尤其涉及一种提高玻璃陶瓷介电材料储能密度的内电极结构。该内电极为采用三层内电极组合结构，在基底上涂覆一层金膜，再刷一层银浆。即使银浆料烧结形成微孔隙，本实用新型克服现有技术中的不足，从原理上保证内电极的有效面积不减小，同时提高镀电极材料的耐击穿强度，从而有效提高玻璃－陶瓷介质材料的储能密度。
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公开(公告)号：CN203013524U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220666918.6
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01G4/12
Abstract: 本实用新型提供一种具有凹型结构玻璃陶瓷瓷芯的高压电容器，包括瓷芯和金属端子，该瓷芯包括两个相互串联的凹型玻璃陶瓷圆片，该两个凹型玻璃陶瓷圆片的上、下表面均涂敷有银电极，该两个凹型玻璃陶瓷圆片的凹面银电极分别焊接金属端子，瓷芯和金属端子构成的整体由环氧树脂灌封，金属端子的端部暴露在环氧树脂层的外侧。本实用新型采用凹型结构玻璃陶瓷瓷芯，解决了电极边缘电场集中的问题，减少了电极边缘击穿的概率，大幅度提高了高压陶瓷电容器的耐压性能和可靠性，体积进一步缩小，可应用于高压输电、脉冲功率、倍压整流等高电压领域。
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公开(公告)号：CN203589443U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320773024.1
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01S1/02
Abstract: 本实用新型提供一种基于玻璃陶瓷介质的同轴固态脉冲形成线，包括筒状玻璃陶瓷介质、内电极、外电极和半导体涂层，内电极和外电极分别烧制在该筒状玻璃陶瓷介质的内壁和外壁上，半导体涂层涂敷在内电极和外电极以外的玻璃陶瓷介质表面。本实用新型采用玻璃陶瓷介质作为同轴脉冲形成线的储能介质，在实现形成线的固态化的同时，大大减小了形成线的体积，达到了免维护和小型化的目标。另外，半导体涂层减少了电极边缘击穿的概率，大幅度提高了高压陶瓷电容器的耐压性能和可靠性，提高了脉冲形成线的使用寿命。本实用新型可应用于高功率微波、高功率激光、X光机等需要高功率脉冲源的设备。
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