公开(公告)号：CN118249967A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410463229.2

申请日：2024-04-17

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 董涛 ,  李哲 ,  缑纯良 ,  张健鹏 ,  黄斯翀 ,  张彦龙 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  毕潇 ,  徐雷霈 ,  王永平 ,  张雪

IPC: H04L1/20 ,  H04L43/0823

Abstract: 本发明涉及一种高速串行总线的多组态单粒子误码率预计方法，属于高速串行总线电路的单粒子效应测试领域。该方法对高速串行总线中发生的单粒子码错进行识别、分类和统计，根据统计结果，计算单粒子翻转截面CS_SEU和单粒子功能中断截面CS_SEFI；根据单粒子翻转截面CS_SEU，计算单粒子翻转误码率ER_SEU；根据单粒子功能中断截面CS_SEFI，计算单粒子功能中断误码率ER_SEFI；利用单粒子翻转误码率ER_SEU和单粒子功能中断误码率ER_SEFI计算高速串行总线单粒子总误码率ER。本发明实现了高速串行总线单粒子误码率的准确计算，有效保障高速串行总线单粒子效应评估的准确性和全面性。

公开(公告)号：CN117554718A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311414466.1

申请日：2023-10-27

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 缑纯良 ,  郑宏超 ,  赵元富 ,  王亮 ,  李哲 ,  刘亚娇 ,  毕潇 ,  董涛 ,  黄斯翀 ,  徐雷霈 ,  张健鹏 ,  王永平

IPC: G01R31/00 ,  G06F17/18 ,  G06T11/20

Abstract: 一种基于最小二乘法的单粒子威布尔曲线生成方法，包括：进行重离子试验，获取电路入射离子信息与单粒子翻转截面信息；通过单粒子翻转截面信息，预估幅值参数A的值；根据入射离子信息及单粒子翻转截面，通过规划求解计算阈值参数Xc的值；利用最小二乘法计算单粒子威布尔曲线参数中的形状参数d以及比例参数k；对单粒子威布尔曲线进行拟合，如果曲线不收敛，则返回修调幅值参数A，直至曲线收敛。本发明从多种层面上最大程度地提高了拟合效果，提高了单粒子威布尔拟合曲线的准确性。

公开(公告)号：CN117150773A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311117577.6

申请日：2023-08-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 黄斯翀 ,  郑宏超 ,  赵元富 ,  王亮 ,  毕潇 ,  李哲 ,  缑纯良 ,  董涛 ,  张建鹏 ,  吴志军 ,  彭领

IPC: G06F30/20 ,  G01T1/02 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种电子总剂量换算方法，使用仿真手段对丙氨酸‑ESR的电子总剂量曲线进行校正。首先获得60Co源的标准源数据，接着对电子源和60Co源进行仿真建模，以期在不进行实验的前提下获得总的吸收剂量值；其次是对不同源计算获得的剂量值进行归一化处理，用于准确评估电子源与Co源的差异，能够准确地校正电子总剂量的丙氨酸反应曲线。

公开(公告)号：CN116524982A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310317754.9

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 董涛 ,  武永俊 ,  李哲 ,  毕潇 ,  缑纯良 ,  张健鹏 ,  黄斯翀 ,  郑宏超 ,  徐雷霈 ,  王亮 ,  张雪

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/18

Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。

公开(公告)号：CN116203381A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211058825.X

申请日：2022-08-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 董涛 ,  郑宏超 ,  李哲 ,  武永俊 ,  毕潇 ,  缑纯良 ,  张健鹏 ,  徐雷霈 ,  王亮 ,  张雪

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。

公开(公告)号：CN114974388A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210472026.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 武永俊 ,  李哲 ,  毕潇 ,  缑纯良 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  董涛 ,  张健鹏 ,  徐雷霈 ,  张栩椉

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。