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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117554718A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311414466.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于最小二乘法的单粒子威布尔曲线生成方法，包括：进行重离子试验，获取电路入射离子信息与单粒子翻转截面信息；通过单粒子翻转截面信息，预估幅值参数A的值；根据入射离子信息及单粒子翻转截面，通过规划求解计算阈值参数Xc的值；利用最小二乘法计算单粒子威布尔曲线参数中的形状参数d以及比例参数k；对单粒子威布尔曲线进行拟合，如果曲线不收敛，则返回修调幅值参数A，直至曲线收敛。本发明从多种层面上最大程度地提高了拟合效果，提高了单粒子威布尔拟合曲线的准确性。
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公开(公告)号：CN116524982A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310317754.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。
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公开(公告)号：CN116203381A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211058825.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN114974388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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