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公开(公告)号：CN103618211A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310577046.5
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
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公开(公告)号：CN116720348A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310650742.8
申请日：2023-06-02
Applicant: 中铁十二局集团第七工程有限公司 , 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出了一种基于关键点位移监测计算支架现浇转体桥不平衡力矩的方法，属于桥梁转体施工领域。该无称重配重方法主要通过对桥梁关键点实施位移监测，将所得监测数值代入本发明所述函数关系式中进行简单计算即可得到桥梁转体施工前所需的转动体不平衡力矩这一重要参数，然后可根据所求得的不平衡力矩对转动体进行配重，确保转体结构的偏心距满足设计要求。本发明具有技术设备简单、操作简便、节约称重时间、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN115321584B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210859639.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种制备β‑Ga2O3微米带的方法涉及半导体材料和光学技术领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；将圆柱形料棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤钨灯输出功率为720W/h，通入氧气，光照一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备β‑Ga2O3微米带，该微米带尺寸较大，形貌完整，可有效构建光电器件。加快了氧化镓的一维微纳结构生长的时间，节约了能源，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN104532851B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410784923.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种回收装配式双排桩及其支护方法，属土木工程领域。其在前排桩(1)桩顶预设桩帽(4)，前排桩(1)之间用冠梁(2)连接。前排桩(1)与后排桩(3)、后排桩(3)之间分别用两根拉杆(6)和一根锁接头(7)连接，其中两根拉杆(6)之间由一根锁接头(7)连接。桩帽(4)与拉杆(6)、拉杆套锁销防止拉杆套(5)纵向移动。本发明增大支护结构的整体性，更加节约成本，提高经济效益，缩短施工时间，增大基坑施工过程中周边建筑物的安全系数。(5)与拉杆(6)均用销轴(10)连接，锁孔(11)插入
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公开(公告)号：CN105858715A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610366213.5
申请日：2016-05-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G9/03
CPC classification number: C01G9/03 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2006/60
Abstract: 本发明涉及半导体材料和光学技术领域，是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒；将陶瓷棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤素灯输出功率为900?1050W/h，通入速率氧气/空气，保温一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出富受主型ZnO微米管，受主态长效稳定，为p型ZnO材料的制备提供了新的思路，同时该微米管尺寸较大，形貌完整，具有规则六边形截面，并且具有新颖的室温光致发光特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103618211B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310577046.5
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
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公开(公告)号：CN104313690A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410532380.3
申请日：2014-10-10
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C30B13/02 , C04B35/453 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/6567 , C04B2235/94 , C30B13/00 , C30B13/22 , C30B13/24 , C30B13/34 , C30B19/02 , C30B29/16 , C30B29/22 , C30B9/12
Abstract: 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法，属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒，其次是优化出助熔剂成分及配比，再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高，生长方向固定，电学性质优异。
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公开(公告)号：CN102570302B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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公开(公告)号：CN102570302A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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