公开(公告)号：CN104313690B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201410532380.3

申请日：2014-10-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  马云峰 ,  王越 ,  梅晓平 ,  张春萍 ,  王强 ,  徐仰立

IPC: C30B29/22 ,  C30B9/12

CPC classification number: C30B13/02 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B13/24 ,  C30B13/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22

Abstract: 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法，属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒，其次是优化出助熔剂成分及配比，再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高，生长方向固定，电学性质优异。

公开(公告)号：CN104291806A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410484494.5

申请日：2014-09-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王越 ,  梅晓平 ,  蒋毅坚 ,  马云峰 ,  曾勇 ,  陈龙 ,  张春萍

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3286

Abstract: 一种研究氧化锌掺镓陶瓷最佳烧结工艺和最佳掺杂浓度的方法属于导电陶瓷的制备领域。将ZnO、Ga2O3粉料按化学式GaxZn1-xO其中x值为在0-1范围内的某一定值，进行配料，经球磨和烘干后，取粉料进行差热分析，确定最佳预烧温度；以某一定时间作为烧结时间，确定最佳烧结温度；在确定的最佳烧结温度基础上，改变不同的烧结时间，烧结一系列样品；将烧结后的样品进行处理，并进行密度和电学性能测试，确定最佳烧结时间；在前面确定的最佳烧结工艺情况下，烧结一系列不同组分的陶瓷GaxZn1-xO；将烧结后的样品进行处理，并进行XRD和电学性能测试，确定镓掺杂氧化锌陶瓷最佳浓度。本发明提供一种传统烧结方式下的、周期短、耗能低、高致密性和低电阻率的GZO陶瓷的工艺。

公开(公告)号：CN103436960A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310306709.X

申请日：2013-07-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  张春萍 ,  马云峰 ,  徐宏 ,  王越

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00

Abstract: 光学浮区法生长掺稀土元素Ta2O5晶体的方法属于晶体生长领域。本发明步骤：将Ta2O5粉料与稀土元素氧化物粉料按照需要生长晶体的化学计量比进行混合；将步骤（1）中制得的混合料经过球磨、烘干、预烧、研磨过筛，然后将粉料装入长条形气球中密封，抽真空后等静压下压制成棒状的料棒；将制得的料棒经烧结后获得多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，设置升温速率为30～60℃/分钟至多晶棒和籽晶融化，调整多晶棒和籽晶的旋转速度和旋转方向，接种；然后设置晶体生长速度进行晶体生长；晶体生长结束后设置降温时间，冷却至室温。本发明无污染，周期短，效率高，能快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量的掺稀土元素的Ta2O5晶体。

公开(公告)号：CN104313690A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410532380.3

申请日：2014-10-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  马云峰 ,  王越 ,  梅晓平 ,  张春萍 ,  王强 ,  徐仰立

IPC: C30B29/22 ,  C30B9/12

CPC classification number: C30B13/02 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C30B13/00 ,  C30B13/22 ,  C30B13/24 ,  C30B13/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B9/12

Abstract: 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法，属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒，其次是优化出助熔剂成分及配比，再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高，生长方向固定，电学性质优异。

公开(公告)号：CN103806103A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410025472.2

申请日：2014-01-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  张春萍 ,  马云峰 ,  徐宏 ,  王越 ,  梅晓平

IPC: C30B29/34 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al2O3和SiO2按照化学计量比进行配料；将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再次过筛；然后将粉料压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过马弗炉烧结后得到致密均匀的多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，50～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶开始融化，对接，使熔区稳定3～5分钟后，设置晶体生长速度为2～10mm/h，开始晶体生长；生长结束后，设置降温参数冷却至室温。本发明首次用浮区法生长出无宏观缺陷的莫来石晶体，成晶质量高，生长速度快。

公开(公告)号：CN202404066U

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201220005408.4

申请日：2012-01-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘立英 ,  龙明亮 ,  何川 ,  张春萍 ,  李健 ,  高小强 ,  叶树中

IPC: G01N29/02

Abstract: 具有测量增强功能的超声光栅实验平台属于实验物理领域。本实用新型获得传统实验仪器不能获得的光强分布等物理量，实现了信号的自动化采集和多角度定量分析，并具有较高的精确度。该实验平台包括：一个导轨，在该导轨的一端放置一个激光器，另一端放置衍射光斑接收装置；衍射光斑接收装置由光阑、光传感器及转动传感器通过一个垂直于导轨的线量转化器固连在一起组成，其中光传感器及转动传感器通过数据采集接口与计算机连接；在激光器与衍射光斑接收装置之间的导轨上，放置超声光栅声速仪的液体槽，槽内的压电陶瓷晶片通过两根高频信号线与超声光栅声速仪的超声信号源相连。