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公开(公告)号：CN102916342A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210418865.0
申请日：2012-10-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器属于半导体光电子器件领域。该激光器结构分为三部分: 从下到上依次为n型背面电极(11)、底部衬底(10)、下DBR(9)、有源区(8)、包括氧化限制层(7)的p型DBR(12)、p型注入电极(6)、ITO层(14)、取向膜(3)，此为第一部分，从氧化限制层(7)往上为脊型结构；脊型两端为对称结构的聚合物衬垫(5)，形成液晶盒，液晶盒存储有液晶(4) ，此为第二部分；第三部分，依次包括，有出光孔的顶部衬底(1)、上DBR(2)、ITO层(14)、取向膜(3)；第三部分倒立放置在第二部分上，依靠聚合物衬垫(5)支撑。本发明通过在液晶盒两端加调谐电压引起液晶层折射率变化，来实现激光波长的连续调谐。同时，由于向列相液晶独特的各向异性，激光器可以实现激光偏振稳定输出。
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公开(公告)号：CN102916342B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210418865.0
申请日：2012-10-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 内腔液晶可调谐垂直腔面发射激光器属于半导体光电子器件领域。该激光器结构分为三部分：从下到上依次为n型背面电极(11)、底部衬底(10)、下DBR(9)、有源区(8)、包括氧化限制层(7)的p型DBR(12)、p型注入电极(6)、ITO层(14)、取向膜(3)，此为第一部分，从氧化限制层(7)往上为脊型结构；脊型两端为对称结构的聚合物衬垫(5)，形成液晶盒，液晶盒存储有液晶(4) ，此为第二部分；第三部分，依次包括，有出光孔的顶部衬底(1)、上DBR(2)、ITO层(14)、取向膜(3)；第三部分倒立放置在第二部分上，依靠聚合物衬垫(5)支撑。本发明通过在液晶盒两端加调谐电压引起液晶层折射率变化，来实现激光波长的连续调谐。同时，由于向列相液晶独特的各向异性，激光器可以实现激光偏振稳定输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102570301B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010616548.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
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公开(公告)号：CN102570301A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010616548.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
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公开(公告)号：CN102570302B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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公开(公告)号：CN102570302A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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公开(公告)号：CN101997070A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010279243.5
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与金属反光层及金属扩散阻挡层之间设置有图形欧姆接触层、非金属层和元素扩散阻挡层；上电极的正下方对应的图形欧姆接触层的图形中存在一个空位，并且空位处填充有非金属层；即图形欧姆接触层、非金属层在同一层同样厚度上；在图形欧姆接触层和金属反光层及金属扩散阻挡层之间设有阻挡大量金属元素向外延层扩散的元素扩散阻挡层。本发明使器件电流分布均匀化，有效的降低了器件电压，并提高了器件的光功率。
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