-
公开(公告)号：CN105552714A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610028798.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/125 , H01S5/1231 , H01S5/1237
Abstract: 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。因为边发射激光器谐振腔长度的原因，其不容易直接实现单纵模输出，所以本发明要改进边发射激光器激射激光的单纵模窄线宽特性。通过电子束直写曝光的技术，区域性选择将DBR光栅融入到边发射激光器结构中，并且对含有铝组分的光栅使用氮化硅薄层进行保护。从而激光器本身激射的激光光。通过DBR光栅结构可以实现边发射激光器单纵模窄线宽激射，使得激光光束质量大幅提升，同时能够稳定输出。由此可以达到对铯原子钟良好的控制。
-
公开(公告)号：CN103618211A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310577046.5
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
-
公开(公告)号：CN103618211B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310577046.5
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为：N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR，上DBR为凸台结构，台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜，台上边缘及台下部分从下往上为：SiO2绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率，引起上反射镜反射率的变化，实现对激光器输出光偏振状态的控制。
-
公开(公告)号：CN104952968A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510243210.8
申请日：2015-05-13
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/125 , H01L31/1844
Abstract: 一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件，集成器件由VCSEL激光器和光电探测器组成，二者是利用半导体制造工艺的方法实现单片集成；其中一部分为VCSEL激光器，在电流驱动下可以达到发射所需探测激光的目的；另一部分为光电探测器，可以达到探测激光的目的；VCSEL激光器置于两个光电探测器之间；本发明可应用于微距离测量、生物探测、气体探测等方面，具有体积小，集成度高，功耗低，精确度较高等特点。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
