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公开(公告)号：CN112086416B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010931550.0
申请日：2020-09-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/46
Abstract: 一种微通道散热器分流集成冷却装置，属于微电子器件冷却技术领域。本装置依次包括固定板(1)、分流板(2)和基板(3)；固定板(1)的正面设计有安装微通道散热器的凹槽(1.1)以及供工质通过的流体入口(1.2)和流体出口(1.3)；分流板(2)的正面设计有分流通道(2.4)与合流通道(2.3)，背面开有多个圆型通孔，分别与正面的分流通道与合流通道相连通；基板(3)的正面加工有总分流通道(3.4)和总合流通道(3.3)，背面为与之相通的总入口(3.1)和总出口(3.2)。该装置与微通道散热器组合形成完整的散热系统，对多个热源进行冷却。
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公开(公告)号：CN109507230B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811534729.1
申请日：2018-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种机械密封式微型热导检测器，属于微电子机械系统领域。通过中心开槽的有机玻璃盖板与有机玻璃底座的螺栓固接，将位于其间的硅胶垫片、玻璃片、橡胶密封圈、硅基底压紧整合形成热导检测器的气体通路及微型热导池，并通过背部空气腔、大小橡胶圈形成的空气腔、悬空薄层氮化硅支撑层的设计最大化减小热敏电阻热损。同时，单一热导池中热敏电阻梳状结构的交错布置方式保证了电桥对角臂热敏电阻温度一致；螺栓连接密封规避了高温高压键合过程。从而使微型热导检测器设计在具有低功耗、高精度性能的基础上，简化了加工工艺，提高了稳定性及坚固性，有效节约了加工成本，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN115332204A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211068124.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 一种低热阻低泵功稳定性好的歧管微通道散热器，属于强化换热领域。自上而下包含盖板(1)、歧管分流板(2)和微通道基板(4)；盖板(1)上加工有与外部管道连接的通孔，分别是流体入口(10)和流体出口(11)；歧管分流板(2)上加工有入口储液池(7)、入口歧管通道(8)、出口歧管通道(3)以及出口储液池(9)；微通道基板包含由微通道(5)和限流通道(6)构成的一系列微通道散热单元。在歧管通道下方布置限流通道。通过在歧管通道下方布置限流通道，大幅度改善了垂直于微通道方向的壁面温度分布；本申请涉及的歧管微通道能有效降低壁面最大温度，改善壁面温度分布，以满足高功率器件的散热需求。
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公开(公告)号：CN111106081A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010027529.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 一种基于薄液膜蒸发的近结冷却装置，属于半导体器件的冷却技术领域。包括玻璃盖板(9)和硅基板(8)组成，其中玻璃盖板(9)包括流体入口(1)和蒸发区域(7)组成，硅基板(8)由入口蓄液槽(2)，流道区域(3)，出口蓄液槽(4)，出口限高区域(5)和流体出口(6)组成。玻璃盖板(9)和硅基板(8)采用阳极键合技术封装完成，以确保蒸发区域(5)与流道区域(3)完整衔接。本发明在半导体器件的近结区域，利用液体薄液膜蒸发原理，实现对半导体器件结温的有效降低，具有换热系数大，蒸发效率高，满足高热流密度，多热区同时存在的运行要求，为半导体器件的安全稳定运行提高一种新思路。
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公开(公告)号：CN104979307B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510409552.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 微通道散热器冷却多芯片系统装置，本发明属于微电子冷却技术领域。本装置依次包括封装在一起的封装片(1)和基板(2)；封装片(1)上开有放入散热器的凹槽(3)，以及与通道连接的流体入口(4)和流体出口(5)；基板(2)的正面加工有分流通道槽(6)和合流通道槽(7)，反面开有与外部管路连接的流体总入口(8)和流体总出口(9)。本装置将多个微通道散热器进行集成，同时对多芯片进行散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167399B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410204283.1
申请日：2014-05-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 错位复杂微通道微型换热器，属于微电子换热器技术领域，包括封装在一起的封装片(1)，基板(2)；封装片上开有与外部管路连接的流体入口(3)和流体出口(4)；基板的正面刻蚀有错位复杂微通道(5)、进口处的蓄液槽(6)和出口处的蓄液槽(7)。本装置满足大功率电子芯片的散热；同时弥补高效金属微散热器热膨胀系数不匹配的应用限制和被冷却表面(即电子芯片)温度分布不均匀的缺点。
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公开(公告)号：CN111599776B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010498862.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/467 , H01L23/473
Abstract: 一种多层复合式纳米多孔蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。总体上由上层硅结构、中层纳米多孔结构和下层硅结构组成。上层硅结构包括七条歧管通道、入口储液池、出口储液池、以及多个蒸汽通道。中层纳米多孔结构在上层硅表面通过刻蚀加工得到，纳米孔阵列在膜上均匀排布。下层硅结构包括液体入口、液体出口、平行排列的肋和肋间的微通道，通过键合技术使其与上层相接。本装置利用纳米孔内液体的薄膜蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、纳米膜强度高、所需工质少、低泵功消耗等的特点，解决了微电子器件的高热流密度和多热区分布存在的问题。
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公开(公告)号：CN118442865A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410719644.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于电子芯片冷却强化换热技术领域，公开了一种微槽道‑纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法，包括管体，管体的一端为蒸发端，另一端设置为冷凝端；管体包括相互键合的第一导热硅片和第二导热硅片，第一导热硅片与第二导热硅片之间设置有纳米多孔薄膜；第一导热硅片上设置有微槽道阵列，第二导热硅片上设置有蒸汽槽道，纳米多孔薄膜设置在微槽道阵列与蒸汽槽道之间；蒸汽槽道和微槽道阵列内循环流动设置有用于进行冷却的工质。本发明结构紧凑，精准度高，使工质在无外界动力的前提下进行循环流动，提高了毛细蒸发的散热能力，可实现对芯片的快速降温，且散热量可随着芯片的热负荷自动调整，具有改善温度的均匀性的优势。
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公开(公告)号：CN112126416B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202011100120.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种银纳米流体的微流控合成方法及装置，涉及纳米流体制备和传热领域。本发明是为了解决目前银纳米流体的制备方法繁琐、制备出的纳米颗粒粒径分布不均、分散性差等技术问题。本制备方法主要步骤包括银前驱体溶液的制备、前驱体溶液和还原剂在微混合/反应系统内混合反应、产物的收集过程。本发明便于操作、合成快速，所制备的银纳米流体具有粒径分布均匀、具有优良的稳定性和良好的导热性能等优点。
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公开(公告)号：CN109979900B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910300689.2
申请日：2019-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 一种GaN HEMT器件基板级的微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却，减少了界面结合材料的使用，大大降低了结温，延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成，其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8)，下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理，保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。
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