-
公开(公告)号：CN107342200A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
-
公开(公告)号：CN105695774A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610094747.7
申请日：2016-02-20
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C22C1/02 , B22F3/105 , B22F9/04 , B22F2009/043
Abstract: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-yBy(A:Ag,Cu等，B:Si,Ge,Sn等；0≤x≤0.30，0≤y≤0.20)块体。步骤如下：首先，在经高效脱氧剂脱氧后的高纯氩气气体保护下，按化学计量比称取单质原料放入到准密封熔炼设备中将其熔炼成铸锭，然后将铸锭进行破碎。把破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中，采用机械球磨设备在高纯氩气气氛下进行球磨，然后将球磨后的粉料装载到石墨模具内，并置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结得到高致密度的块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，工艺参数易控制，可解决Mg元素易挥发和易氧化问题，并提高材料的致密度和可加工性。
-
公开(公告)号：CN105525122A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610057670.6
申请日：2016-01-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0
-
公开(公告)号：CN103700759B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210366280.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。
-
公开(公告)号：CN107793144B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711142934.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1:2～1:5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109306521B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811019797.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27:15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32:2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
-
公开(公告)号：CN106866152B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710140285.2
申请日：2017-03-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/50 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1:4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。
-
公开(公告)号：CN105350075A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510849964.8
申请日：2015-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。
-
公开(公告)号：CN103274701A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310185046.0
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种含碳耐火材料抗氧化剂Al4O4C的制备方法。（1）以Al2O3粉、Al粉、石墨粉为原料，按照摩尔比n(Al2O3）:n（Al）:n（C）=a:b:3称重，其中1.0≤a≤6.0, 1.0≤b≤6.0。将配制好的原料放入球磨罐中进行球磨，球磨时间4~12h，转速为200~600r/min。（2）将球磨后的粉体装入石墨或硬质合金模具中，将模具置于SPS烧结腔体中，施加10~50MPa的轴向压力，在烧结气氛气压低于10Pa的真空条件下烧结，以100～150℃/min的升温速率升温，烧结温度为1000~1500℃，保温5~15min，随炉冷却至室温，得到物相组成为Al4O4C晶相的单相块体材料。本发明简单，成本低，烧结升温速度快，烧结温度低，烧结时间短，并可获得不含杂相的单相材料。
-
公开(公告)号：CN105350075B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510849964.8
申请日：2015-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.023 seconds)
