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公开(公告)号：CN110808289A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910939972.X
申请日：2019-09-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/47
Abstract: 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN119894054A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411925856.X
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底；有源层，位于所述衬底上方，包括沟道区域以及源漏区域；吸氢层，位于所述有源层上方，其中所述吸氢层位于所述沟道区域上方的部分被去除；富氢密封绝缘层，位于所述吸氢层上方，其中所述富氢密封绝缘层位于所述沟道区域上方的部分被去除；顶栅介质层，位于所述富氢密封绝缘层和所述有源层沟道区域上方；顶栅，位于所述顶栅介质层上方；源极和漏极，分别与所述沟道区域两侧的所述吸氢层接触。
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公开(公告)号：CN118039702A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311656748.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖并直接接触所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN112466916B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号：CN115274864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872263.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L23/31 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
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公开(公告)号：CN112466916A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号：CN119170654A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411283941.0
申请日：2024-09-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24
Abstract: 本申请涉及一种具有肖特基接触的电子器件，包括：AOS层；位于所述AOS层一侧的第一金属层，所述第一金属层的材料为功函数不小于4.7eV的金属；以及位于所述AOS层与所述第一金属层之间，并与所述AOS层与所述第一金属层直接接触的插入层，所述插入层的材料为相对介电常数不小于8且带隙不小于3.5eV的氧化物；其中，所述AOS层、所述插入层和所述第一金属层形成肖特基接触结构；其中，所述AOS层与所述第一金属层不直接接触；其中，所述插入层的厚度不大于5nm。本申请提出的具有肖特基接触的电子器件能够降低反偏电流，提高肖特基势垒，大幅提高整体性能。本申请还涉及一种具有肖特基接触的电子器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN116613216A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310492020.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数。本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN112701084B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011592468.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09F9/30
Abstract: 一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
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公开(公告)号：CN114899228A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210618717.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 一种透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件，透气导电材料，包括主体材料以及掺杂材料；主体材料包括至少一种金属氧化物，金属氧化物为导电氧化物，且金属氧化物的晶粒尺寸为1nm‑100nm；掺杂材料包括过渡金属以及后过渡金属中的至少一种单质或氧化物，掺杂材料按质量百分比的含量为1％‑50％。通过在导电氧化物中进行特定元素掺杂，从而改变导电氧化物的微观结构，在保证其导电性能的同时，提高导电氧化物的透气性，以使得采用该透气导电材料制成的电极，可以应用在需要导电以及透气需求的半导体器件中。
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