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发明公开
一种具有肖特基接触的电子器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119170654A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411283941.0

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 , 郑志炜 , 张盛东 , 王云萍 , 黄德猛

IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24

Abstract: 本申请涉及一种具有肖特基接触的电子器件，包括：AOS层；位于所述AOS层一侧的第一金属层，所述第一金属层的材料为功函数不小于4.7eV的金属；以及位于所述AOS层与所述第一金属层之间，并与所述AOS层与所述第一金属层直接接触的插入层，所述插入层的材料为相对介电常数不小于8且带隙不小于3.5eV的氧化物；其中，所述AOS层、所述插入层和所述第一金属层形成肖特基接触结构；其中，所述AOS层与所述第一金属层不直接接触；其中，所述插入层的厚度不大于5nm。本申请提出的具有肖特基接触的电子器件能够降低反偏电流，提高肖特基势垒，大幅提高整体性能。本申请还涉及一种具有肖特基接触的电子器件的制备方法。

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