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公开(公告)号：CN114899228A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210618717.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 一种透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件，透气导电材料，包括主体材料以及掺杂材料；主体材料包括至少一种金属氧化物，金属氧化物为导电氧化物，且金属氧化物的晶粒尺寸为1nm‑100nm；掺杂材料包括过渡金属以及后过渡金属中的至少一种单质或氧化物，掺杂材料按质量百分比的含量为1％‑50％。通过在导电氧化物中进行特定元素掺杂，从而改变导电氧化物的微观结构，在保证其导电性能的同时，提高导电氧化物的透气性，以使得采用该透气导电材料制成的电极，可以应用在需要导电以及透气需求的半导体器件中。
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