公开(公告)号：CN109037076A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810933101.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  常宝柱 ,  陶金敖 ,  张羽晴 ,  王刚 ,  周晓梁

IPC: H01L21/428 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/428 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上形成有源层并对其进行图形化形成有源区；在所述有源区和所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极层并对其图形化形成栅电极；以所述栅电极为掩模进行准分子激光退火从而在所述有源区中形成源漏区域；以及在所述栅电极以及所述源漏区域上方形成钝化层，并对其进行图形化形成开孔并在其中形成电极。

公开(公告)号：CN110808289A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201910939972.X

申请日：2019-09-30

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  张羽晴 ,  陆磊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN118039702A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311656748.2

申请日：2019-09-30

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  张羽晴 ,  陆磊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖并直接接触所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。