公开(公告)号：CN113990953B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111247985.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。

公开(公告)号：CN117265667A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210666295.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  于梦诗 ,  谭聪伟 ,  唐浚川

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种批量化制备晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直鳍(Fin)阵列及的方法。该方法包括如下步骤：以氧化物MgO(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氩/氧混合气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直Fin阵列晶圆。该方法经济、流程简单，所得晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直Fin阵列具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN116936366A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210359418.6

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  谭聪伟

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/64 ,  C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋二维垂直鳍(Fin)阵列及其晶圆级批量化制备方法。该方法，包括如下步骤：以LaAlO3(100),LaAlO3(110),和SrTiO3(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氧气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直鳍阵列晶圆。该方法经济、简单易行，所得晶圆级二维Bi2O2Se垂直鳍阵具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN113990953A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111247985.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。

公开(公告)号：CN108039403A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711315655.8

申请日：2017-12-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  谭聪伟 ,  吴金雄

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜。本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi2O2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi2O2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。