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公开(公告)号：CN105629682A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610111722.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用，该方法利用较高能量激光束照射或扫描薄膜的方法，在激光束下照射时，激光束与碳基材料薄膜样品表面的光刻胶之间会发生相互作用，使光刻胶分子中C-H、C-C键断裂，形成小分子并具有较高能量，使光刻胶分子发生溅射和横向移动，脱离原来位置。同时，激光轰击导致样品表面产生热量，使光刻胶分子发生团聚和蒸发。本发明能够去除碳基材料薄膜样品表面光刻胶等聚合物残留，并确保不破坏材料晶格结构，获得薄膜样品本征特性，使器件电学性能大大提高。
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公开(公告)号：CN105301909A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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公开(公告)号：CN117476113A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311501603.5
申请日：2023-11-10
IPC: G16B40/00 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种预训练模型的模型训练方法和装置、存储介质及电子设备，其中，该方法包括：获取训练掩码序列集，其中，训练掩码序列集中的每个训练掩码序列是对一个抗体序列中的部分序列进行掩码处理得到的序列，在每个训练掩码序列中，重链序列的开始位置插入有重链符号，轻链序列的开始位置插入有轻链符号；依次将每个训练掩码序列作为输入序列对待训练的预训练模型执行多轮训练，得到训练好的预训练模型，其中，预训练模型包括编码器和解码器，编码器用于将输入序列的序列向量编码为对应的特征编码向量，解码器用于基于编码器输出的特征编码向量解码出编码器的输入序列中被掩码的部分序列；能够提高预训练模型的特征表征准确性。
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公开(公告)号：CN114283867A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN109941991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910327755.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层‑金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106904571B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710152199.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。
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公开(公告)号：CN105699702B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410709646.7
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯‑金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔEF的平均值，根据ΔEF和d的对应关系，得到发光点处石墨烯与金属表面间距d，最后得到样品的间距分布图。
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公开(公告)号：CN108423658A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810250018.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出了一种石墨烯薄膜的制备方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在熔融的可溶性盐液体表面生长石墨烯薄膜，利用可溶性盐晶体易溶于水，而水蒸发后可以再次析出可溶性盐晶体，且析出的可溶性盐晶体可以再次利用的特性，构建了一种可循环制备石墨烯薄膜的工艺方法，本发明具有成本低，副产物少，环保的特点。
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公开(公告)号：CN106904571A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710152199.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。
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公开(公告)号：CN105762090A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610137360.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L22/14
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测量该过程所需时间。
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