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公开(公告)号：CN114333617A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111551219.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效应相关参数的优化，得到单个micro‑LED的峰值波长和光谱半宽；并在一定范围内改变优化的峰值波长和光谱半宽，计算色域覆盖率的变化；优化过程中，除了考虑显示D65白光时的显示屏发光的非视觉效应，还考虑显示其他色彩时的非视觉效应，真实反映全彩显示的非视觉效应；利用本发明，能够在保持广色域的同时，降低显示设备发光的蓝光危害和生物节律影响，并具有高色域稳定性。
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公开(公告)号：CN109982478A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN105088161B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510546784.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了易总基于微波等离子体对铜铟镓硒表面改性的处理方法及系统。本发明通过微波电离惰性气体产生微波等离子体，并作用到铜铟镓硒CIGS薄膜的表面，在微米量级上进行高强度的反溅射和退火，不仅可以去除表面的Cu‑Se相，还可以对薄膜进行进一步的退火，减弱Ga的不均匀状况，从而达到材料表面改性的目的；CIGS薄膜做为CIGS太阳能电池的主吸收层，该层薄膜的质量直接决定了CIGS太阳能电池的好坏，经过ECR改性的CIGS薄膜为获得更高光电转换效率的CIGS电池奠定了基础，并经过试验验证，切实可行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100396818C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510082813.0
申请日：2005-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: C23F4/04
Abstract: 本发明提供了一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。与化学抛光、电抛光相比，它是一种洁净处理超导腔的方法，没有酸的危险和对环境的污染，而且处理后不会残留液体在腔表面上，处理装置的结构简单，容易控制。另外，它为超导腔提供了室温下的MP锻炼，使腔的MP得到很好的遏制。
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公开(公告)号：CN1891864A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510082813.0
申请日：2005-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: C23F4/04
Abstract: 本发明提供了一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。与化学抛光、电抛光相比，它是一种洁净处理超导腔的方法，没有酸的危险和对环境的污染，而且处理后不会残留液体在腔表面上，处理装置的结构简单，容易控制。另外，它为超导腔提供了室温下的MP锻炼，使腔的MP得到很好的遏制。
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公开(公告)号：CN118175719A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410292961.8
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。
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公开(公告)号：CN109982478B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B45/325 , H05B45/20
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN109920888B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910179563.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，以形成纳米柱；形成绝缘层于所述纳米柱之间，以及于所述第一金属电极与第二金属电极之间；制备第一金属电极焊盘于所述第一金属电极上以及第二金属电极焊盘于所述第二金属电极上，形成互相连接的纳米柱结构；形成倒装焊接板于所述发光二极管芯片对应的位置上。
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