公开(公告)号：CN118175719B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410292961.8

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  冯立文 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  焦飞 ,  李天一 ,  林林 ,  刘克新 ,  全胜文 ,  王芳 ,  谢华木 ,  徐航 ,  颜学庆 ,  姚泽钦 ,  朱凤 ,  朱昆

IPC: H05H7/20 ,  H05H7/00 ,  H05H7/02 ,  H05H7/22

Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。

公开(公告)号：CN118147629A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410127120.1

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  林林 ,  全胜文 ,  王芳 ,  徐航

IPC: C23C24/04 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  H01P7/06

Abstract: 本发明公开了一种用于射频超导加速腔传导冷却的腔体处理方法，其步骤包括：1)在超导腔内表面沉积铌三锡薄膜，对所得铌三锡薄膜腔在液氦中进行垂直测试；2)对铌三锡薄膜腔进行清洗并抽真空后，向内部充入用于保护气体；3)对超导腔外表面做喷砂处理，便于铜粉沉积；4)采用冷喷涂工艺在喷砂处理后的超导腔外表面覆铜，形成冷喷涂铜层；5)在喷涂完成的超导腔的赤道位置与束管两侧靠近椭球部分的位置进行机械抛光；6)将与超导腔的赤道位置匹配的无氧铜箍环套入固定在超导腔赤道，将在超导腔的两个束管上分别固定一与超导腔束管匹配的无氧铜箍；7)对超导腔上无氧铜箍环、无氧铜箍位置两侧再次进行冷喷涂铜处理，形成二次冷喷涂铜层。

公开(公告)号：CN118175719A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410292961.8

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  冯立文 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  焦飞 ,  李天一 ,  林林 ,  刘克新 ,  全胜文 ,  王芳 ,  谢华木 ,  徐航 ,  颜学庆 ,  姚泽钦 ,  朱凤 ,  朱昆

IPC: H05H7/20 ,  H05H7/00 ,  H05H7/02 ,  H05H7/22

Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。

公开(公告)号：CN100396818C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510082813.0

申请日：2005-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 郝建奎 ,  赵夔 ,  黄森林 ,  焦飞

IPC: C23F4/04

Abstract: 本发明提供了一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。与化学抛光、电抛光相比，它是一种洁净处理超导腔的方法，没有酸的危险和对环境的污染，而且处理后不会残留液体在腔表面上，处理装置的结构简单，容易控制。另外，它为超导腔提供了室温下的MP锻炼，使腔的MP得到很好的遏制。

公开(公告)号：CN1891864A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510082813.0

申请日：2005-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 郝建奎 ,  赵夔 ,  黄森林 ,  焦飞

IPC: C23F4/04

Abstract: 本发明提供了一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。与化学抛光、电抛光相比，它是一种洁净处理超导腔的方法，没有酸的危险和对环境的污染，而且处理后不会残留液体在腔表面上，处理装置的结构简单，容易控制。另外，它为超导腔提供了室温下的MP锻炼，使腔的MP得到很好的遏制。

公开(公告)号：CN217692082U

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202221856352.3

申请日：2022-07-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴桐 ,  徐金强 ,  徐航 ,  黄森林

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/117

Abstract: 本实用新型提供一种可调的宏脉冲结构激光产生装置，其包括激光振荡源、脉冲延时器、SOA驱动器、SOA、光纤放大器、声光驱动器和空间耦合声光调制器。所述激光振荡源与脉冲延时器、SOA实现光路连接，所述SOA与光纤放大器实现光路连接，所述光纤放大器与空间耦合声光调制器实现光路连接。所述脉冲延时器与所述SOA驱动器、声光驱动器实现电路连接，所述SOA驱动器与SOA实现电路连接，所述声光驱动器与空间耦合声光调制器实现电路连接。本实用新型基于两个开关时间不同的光开关，即SOA和空间耦合声光调制器，分别进行两次脉冲选择，从而逐步降低激光脉冲的重复频率。