公开(公告)号：CN104332442A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410616327.1

申请日：2014-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  黎明 ,  安霞 ,  赵阳 ,  张冰馨 ,  刘朋强 ,  夏宇轩 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。

公开(公告)号：CN103151254A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084986.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：CN102903625A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。

公开(公告)号：CN102206799B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110098970.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  黄如 ,  林猛 ,  郭岳 ,  李志强 ,  张兴

IPC: C23C10/08 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。

公开(公告)号：CN102222637A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110170955.8

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种GeOI衬底制备方法，属于新型半导体材料器件领域。该GeOI衬底制备方法在制备GeOI衬底的同时，利用注入氟离子的SiO2，实现了锗与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，有利于提高GeOI衬底的背界面质量。并降低埋氧化层的介电常数，有利于抑制GeOI MOSFET器件的短沟道效应。

公开(公告)号：CN102306625B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110259567.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先对锗衬底进行清洗；随后去除衬底表面的自然氧化层；对锗衬底进行GeF4或含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，以实现淀积在锗衬底表面淀积氮化锗；淀积高K栅介质，进行退火处理。本发明充分结合氮化锗与氟离子对锗衬底表面钝化的作用，在锗衬底表面淀积氮化锗钝化层的过程中附带引入氟的等离子体处理，有效地减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效果。

公开(公告)号：CN102664144A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210156456.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102206799A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110098970.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  黄如 ,  林猛 ,  郭岳 ,  李志强 ,  张兴

IPC: C23C10/08 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。

公开(公告)号：CN105336694B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0

公开(公告)号：CN103887241B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。