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公开(公告)号：CN108155297A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611100965.3
申请日：2016-12-05
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明公布了一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法，首先利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到PDMS上；然后将石墨烯连同PDMS层压到半导体器件的有机功能层上，PDMS上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。本发明通过直接层压石墨烯顶电极来制备全透明的有机发光二级管或其他以石墨烯为顶电极的半导体器件，简单便捷、成本低廉。
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公开(公告)号：CN106898548A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510961977.4
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/22
Abstract: 本发明公开了一种室温环境下激励硅中金属原子扩散的方法。在室温环境中对硅材料或硅器件进行质子辐照，激励金属原子在硅中扩散。该方法简便快捷、成本低廉，受二次污染的程度远较高温处理方法为小，在硅中金属的吸杂和掺杂领域都有潜在的应用前景。并且，由于不需高温，该方法不仅能应用于硅材料，还适用于大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件中金属的原子扩散。
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公开(公告)号：CN106098543A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610412679.4
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513
Abstract: 本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于硅晶片的掺杂，还可以用于硅器件的掺杂，相比传统的杂质引入手段，既便捷又经济。
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公开(公告)号：CN104592243B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410800466.X
申请日：2014-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: C07D491/107
CPC classification number: Y02P20/55
Abstract: 本发明公开了一种加兰他敏和力克拉敏的不对称合成方法。该方法使用廉价易得的原料异香草醛的碘代物和易制备的4?三乙基硅基?3?丁炔?1?氨基为原料，通过还原氨化保护氮原子后，用钯催化的Larock环化反应可以制得苯丙呋喃化合物，后转化为苯丙呋喃酮结构后，经过关键的金属Sc(OTf)3和氮氧化物配体催化的对甲基乙烯基酮的不对称迈克尔加成，可以以94％的ee值得到光学纯的关键中间体，此中间体后经过底物手性诱导的不对称adol反应以及后续的三仲丁基硼氢化锂的选择性还原，可以得到光学纯的加兰他敏和力克拉敏，具有合成路线更短、效率更高的优点。
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公开(公告)号：CN104592243A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410800466.X
申请日：2014-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: C07D491/107
CPC classification number: Y02P20/55 , C07D491/107 , C07B53/00
Abstract: 本发明公开了一种加兰他敏和力克拉敏的不对称合成方法。该方法使用廉价易得的原料异香草醛的碘代物和易制备的4-三乙基硅基-3-丁炔-1-氨基为原料，通过还原氨化保护氮原子后，用钯催化的Larock环化反应可以制得苯丙呋喃化合物，后转化为苯丙呋喃酮结构后，经过关键的金属Sc(OTf)3和氮氧化物配体催化的对甲基乙烯基酮的不对称迈克尔加成，可以以94％的ee值得到光学纯的关键中间体，此中间体后经过底物手性诱导的不对称adol反应以及后续的三仲丁基硼氢化锂的选择性还原，可以得到光学纯的加兰他敏和力克拉敏，具有合成路线更短、效率更高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544285A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210012497.X
申请日：2012-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件。本发明的发光器件具有非均匀且非周期掺铝，Al的组分变化的电子阻挡层。本发明同时有效地解决了提高发光效率的两个关键问题，即减小空穴遂穿的势垒以及提高空穴的注入效率；另外，避免了传统结构在量子垒和电子阻挡层界面形成寄生电子反型层。而多层结构在阻挡电子的效果上更加明显，使得电子和空穴两种载流子在有源层各个量子阱之中的分布更加平衡和均匀，从而获得更加均匀的光增益。因此本发明的发光器件可以有效地克服寄生量子阱现象，具有更小的阈值电流。而且，波导结构上具有更高的光学限制因子而获得更强的发光强度，因此可以同时改善激光器的电学性质和光学性质。
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公开(公告)号：CN102492986A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110397590.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字形窗口，“十”字形窗口之间为“工”字形顶层掩膜区；顶层的“工”字形顶层掩膜区两端通过分立的介质层与底层掩膜层的条形掩膜区连接；顶层“十”字形窗口与底层条形窗口相互错开。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层生长方法。与现有技术相比，本发明提供了一种一步法异质外延的衬底结构，简化了生长工序，同时提高了无位错外延膜的有效宽度，更具有使用价值。
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公开(公告)号：CN1233696C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03100550.0
申请日：2003-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/22
Abstract: 本发明公开了一种聚(苯撑苯并噁唑)及其预聚物与它们的制备方法，目的是提供一种合成聚(苯撑苯并噁唑)的预聚物，以解决聚(苯撑苯并噁唑)合成困难、生产条件苛刻、成型加工困难的问题。本发明提供了式(I)预聚物(式(I)中，m＝2或3；n＝1、2或3)，其制备步骤为：1)以对苯二甲酰氯或间苯二甲酰氯与丙二氰为原料，在二氯甲烷/水溶剂中常温反应，制得双[(1-氯-2，2-二氰基)亚乙烯基]苯；2)以制得的双[(1-氯-2，2-二氰基)亚乙烯基]苯与二羟基二胺基苯盐酸盐类化合物为原料在叔胺类有机化合物缩合剂与有机极性溶剂存在下，在60-80℃条件下一步法制得可溶性预聚物聚{苯-1，4-双[(2，2-二氰基亚乙烯基)甲基]-(2，4-二羟基)苯-1，5-二亚胺}。
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公开(公告)号：CN114357152A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111031124.2
申请日：2021-09-03
Applicant: 北京大学 , 腾讯科技(深圳)有限公司
IPC: G06F16/35 , G06F40/216 , G06K9/62 , G06N3/08
Abstract: 本申请实施例公开了一种信息处理方法、装置、计算机可读存储介质和计算机设备，涉及互联网技术领域；通过获取目标样本；采用预设分类模型对目标样本进行分类处理，得到目标样本对应的第一类别概率分布；根据第一类别概率分布计算目标样本的困难系数，并基于困难系数对目标样本进行筛选，得到筛选后目标样本；采用训练后深度分类模型对筛选后目标样本进行分类处理，得到筛选后目标样本对应的第二类别概率分布；计算第二类别概率分布与第一类别概率分布之间的差异，并基于差异对预设分类模型进行收敛，得到训练后分类模型，该训练后分类模型用于对待处理信息进行分类。以此，在模型训练过程中提高了信息处理效率，进而提高了模型训练的效率。
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公开(公告)号：CN109473346B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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