公开(公告)号：CN102544285A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210012497.X

申请日：2012-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨薇 ,  胡晓东 ,  若比邻 ,  李磊

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明公开了利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件。本发明的发光器件具有非均匀且非周期掺铝，Al的组分变化的电子阻挡层。本发明同时有效地解决了提高发光效率的两个关键问题，即减小空穴遂穿的势垒以及提高空穴的注入效率；另外，避免了传统结构在量子垒和电子阻挡层界面形成寄生电子反型层。而多层结构在阻挡电子的效果上更加明显，使得电子和空穴两种载流子在有源层各个量子阱之中的分布更加平衡和均匀，从而获得更加均匀的光增益。因此本发明的发光器件可以有效地克服寄生量子阱现象，具有更小的阈值电流。而且，波导结构上具有更高的光学限制因子而获得更强的发光强度，因此可以同时改善激光器的电学性质和光学性质。

公开(公告)号：CN102544285B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210012497.X

申请日：2012-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨薇 ,  胡晓东 ,  若比邻 ,  李磊

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明公开了利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件。本发明的发光器件具有非均匀且非周期掺铝，Al的组分变化的电子阻挡层。本发明同时有效地解决了提高发光效率的两个关键问题，即减小空穴遂穿的势垒以及提高空穴的注入效率；另外，避免了传统结构在量子垒和电子阻挡层界面形成寄生电子反型层。而多层结构在阻挡电子的效果上更加明显，使得电子和空穴两种载流子在有源层各个量子阱之中的分布更加平衡和均匀，从而获得更加均匀的光增益。因此本发明的发光器件可以有效地克服寄生量子阱现象，具有更小的阈值电流。而且，波导结构上具有更高的光学限制因子而获得更强的发光强度，因此可以同时改善激光器的电学性质和光学性质。