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公开(公告)号：CN108461446B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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公开(公告)号：CN107123845B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710285611.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN108461446A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/77
Abstract: 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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公开(公告)号：CN107123845A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710285611.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN117529213A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311514010.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达40％的磁隧道结，从而得到纳米或者原子尺度自旋阀。本发明提出的制备方法可以有效控制原子接触点的接触宽度，相较于现有技术，本发明减小了自旋阀结构的复杂性，并且在一定程度上降低了器件功耗。本发明制备方法简单，磁隧道结的磁阻较大，并且与传统的CMOS工艺兼容，为后续器件的集成提供了有利条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420330A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311213573.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳米线或纳米带先预制成两端器件，利用焦耳热对金属纳米线进行退火，并经电学预备操作稳定纳米线表面的初始形貌，然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度，将纳米线表面的三维金属凸起物调控至所需的形貌和高度。
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公开(公告)号：CN112259680B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
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公开(公告)号：CN114283867A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN109941991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910327755.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层‑金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。
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公开(公告)号：CN110211881A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910417221.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/16
Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。
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