公开(公告)号：CN102227001A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110170991.4

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/16 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基NMOS晶体管的性能，而且制作工艺与硅CMOS技术完全兼容，保持了工艺简单的优势。相对于现有工艺制备方法，本发明结构及其制造方法简单、有效地提升锗基肖特基NMOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN108822212A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810588853.X

申请日：2018-06-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘合力 ,  丁焕弟 ,  刘建梅 ,  梁文君 ,  徐飞 ,  林兆晗 ,  李志强

IPC: C07K16/28 ,  C12N15/13 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种选择性识别致癌性突变体KIT ITD的单克隆抗体及其应用。所述抗体的重链和轻链的可变区中的高变区(CDRs)和框架区的特定序列共同决定了其对KIT ITD的选择性，可选择性抑制胃肠道间质瘤中致癌性突变体KIT ITD。利用此抗体的可变区序列以及框架区序列，可制备人-鼠融合抗体或者人源化抗体，在临床上用于治疗KIT ITD类型的胃肠道间质瘤。

公开(公告)号：CN102136428B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110026949.5

申请日：2011-01-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN103151254A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084986.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：CN102206799B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110098970.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  黄如 ,  林猛 ,  郭岳 ,  李志强 ,  张兴

IPC: C23C10/08 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。

公开(公告)号：CN221599960U

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202420015093.4

申请日：2024-01-02

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)

Inventor： 李志强 ,  崔立刚

IPC: A61B8/00

Abstract: 本实用新型涉及一种导声垫与超声探头的连接装置，属于医疗器械技术领域，解决了现有超声设备中导声垫无法与超声探头连接，不能与超声探头随动，超声检查不方便的问题。本实用新型的导声垫与超声探头的连接装置包括主框架、第一半夹和第二半夹，第一半夹和第二半夹分别设置在主框架的两端，主框架内装填导声垫；所述第一半夹和第二半夹为弹性夹，第一半夹和第二半夹能够夹持超声探头。本实用新型导声垫与超声探头的连接装置的第一半夹和第二半夹为弹性夹，第一半夹和第二半夹能够夹持超声探头，从而通过主框架将导声垫与超声探头连接，导声垫能够与超声探头随动，便利超声检查。

公开(公告)号：CN218122847U

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202221001048.0

申请日：2022-04-27

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)

Inventor： 李志强 ,  崔立刚 ,  江凌

IPC: G09B23/28

Abstract: 本实用新型提供一种超声引导可视化神经阻滞模型，包括用于模拟身体各处肌肉层的透明凝胶块，在凝胶块内设置有多条相互间隔的管子。本实用新型模拟人体内血管、神经的解剖位置关系，给初学者提供一种超声引导下神经阻滞模型，通过反复练习，减少穿刺针损伤周围血管的风险，提高超声引导下神经周围药物注射的有效性及安全性。