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公开(公告)号：CN105891609A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410816760.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提出了一种热机械式电磁辐射探测器，该电磁辐射探测器由超材料吸波体、支腿和衬底组成，采用表面牺牲层工艺制备在透明衬底上，形成支腿支撑超材料吸波体的悬空可动结构。在进行探测成像时，入射到超材料吸波体上的电磁波能量被转化为热能，支腿在温度变化后发生弯曲；另有一束可见光穿过透明衬底入射到超材料吸波体的反射镜面上，用于读出超材料吸波体的偏转角度变化和分布，实现对电磁波的探测成像。本发明提供的电磁辐射探测器具有灵敏度和分辨率高，可靠性和均匀性好，以及低成本和制备工艺简单等突出优点，可以作为探测器单个独立工作，也可以排布成阵列作为成像器件工作，可根据被探测电磁波的波长和实际应用要求进行灵活设计。
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公开(公告)号：CN105890767A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510033570.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种支撑梁式红外焦平面阵列及其制备方法，它包括硅框架、多个支撑梁和多个微悬臂梁像元。多个支撑梁交错排布搭接在硅框架上，将硅框架包围的窗口分割成多个尺寸、形状完全相同的小窗口，每个小窗口内镶嵌着一个微悬臂梁像元。采用支撑梁支撑微悬臂梁像元方法避免了干法刻蚀制备硅框架式红外焦平面阵列产生的微悬臂梁像元间的不均匀性问题，同时减小了框架的占用面积，提高了填充因子。矩形支撑梁的支撑强度高，可减小背镂空红外焦平面阵列的像面形变问题。此外，支撑梁分割的小窗口可以多个小窗口为一组，每组小窗口错位排布，从而释放支撑梁内部的应力，减小红外焦平面阵列的弯曲形变，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104458011A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310416650.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的全波段红外焦平面阵列的设计和制备方法，特别是关于一种从衬底侧进行可见光读出的全波段红外焦平面阵列。本发明提供的全波段红外焦平面阵列由微悬臂梁像元阵列和支撑微悬臂梁像元阵列的透明衬底组成，微悬臂梁像元由红外敏感面和微悬臂梁支腿组成，红外敏感面包括主结构层、红外吸收结构层和光学反射镜面。当红外光辐射到焦平面阵列时，设计在红外敏感面上的红外吸收结构将吸收的能量转换成热能，使微悬臂梁像元发生偏转，光学检测系统通过透明衬底读出微悬臂梁像元阵列的形变量和分布。本发明提供的红外焦平面阵列通过在红外敏感面上设置的超材料结构，可进行全波段红外探测和成像，工作在非制冷环境下，可采用简单的聚酰亚胺牺牲层工艺制造。
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公开(公告)号：CN102351141A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110338989.3
申请日：2011-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种MEMS器件的圆片级真空封装的方法。该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖帽基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括：在底座基片上制备出MEMS器件；在底座基片的器件面、中间垫层基片的双面和盖帽基片的一面淀积复合金属层，形成键合区域图形；在其任一种基片上溅射吸气合金作为吸气剂；加工中间垫层基片形成过孔；把三种基片按顺序对准组合，并在基片之间夹入焊料；放入键合炉，焊料熔融后将这三种基片粘合在一起，形成密封腔；划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能和封装器件的可靠性、成品率高，且工艺简单、成本低，适用于工业大批量生产。
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公开(公告)号：CN102157371A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110070920.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种制作单晶硅纳米结构的方法，首先根据单晶硅纳米结构的图形在硅衬底上光刻，定义微米级线宽的掩膜图形；然后通过离子注入在掩膜图形外形成重掺杂区域；接着高温退火使注入的离子扩散进入掩膜图形下面的硅材料中，形成中度掺杂区域，将掩膜图形下低掺杂浓度区域的线宽减小至纳米量级；最后用HNA溶液选择性腐蚀掉中度掺杂区域内的硅，得到低掺杂浓度的单晶硅纳米结构。本发明的方法不仅具备MEMS工艺与IC工艺兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点，而且相对于利用侧墙和光刻胶灰化技术的纳米结构制作方法，拥有更好的线宽可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101561319A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910085133.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电容式MEMS非制冷红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测和微电子机械系统技术领域。该红外探测器包括微悬臂梁阵列、读出悬臂梁形变的电路以及支撑悬臂梁阵列的衬底，微悬臂梁阵列构成探测器的红外焦平面阵列，每一个像元为一双材料悬臂梁结构，该悬臂梁结构通过锚点固定在衬底上；在悬臂梁结构上设置一电极板，在衬底上设置另一电极板，共同构成电容结构，该电容结构的电容信号的改变量由位于衬底上的读出悬臂梁形变的电路读出。本发明提出的制备方法可实现焦平面阵列与读出电路的单片集成，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN100447467C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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公开(公告)号：CN1267582C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410009379.9
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。
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公开(公告)号：CN1240995C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03109492.9
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，其特征在于：在所述芯片上设置有一微槽，所述悬臂梁设置在所述微槽内，所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅，在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子，在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层，共同组成所述悬臂梁，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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