公开(公告)号：CN102180440A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110085240.2

申请日：2011-04-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  于侃 ,  王晓菲

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种微纳机电器件中纳米间隙电极的制备方法，属于微纳机电系统领域。该方法选用一种合适的材料做牺牲层，首先采用回刻的方式制备纳米尺度的牺牲层侧墙结构，侧墙需要有一定的高度，再淀积一层薄的金属层或其它电极材料，然后选择性腐蚀掉牺牲层侧墙材料，附着在侧墙上的金属或其它电极材料将一同被腐蚀掉，并在侧墙的位置形成一个间隙。通过控制牺牲层侧墙的厚度至纳米量级而制备纳米间隙电极。本发明与常规的半导体加工工艺兼容，易于大规模生产，而且成本低。

公开(公告)号：CN102157371B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110070920.7

申请日：2011-03-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王晓菲 ,  于晓梅 ,  赵安迪 ,  于侃

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种制作单晶硅纳米结构的方法，首先根据单晶硅纳米结构的图形在硅衬底上光刻，定义微米级线宽的掩膜图形；然后通过离子注入在掩膜图形外形成重掺杂区域；接着高温退火使注入的离子扩散进入掩膜图形下面的硅材料中，形成中度掺杂区域，将掩膜图形下低掺杂浓度区域的线宽减小至纳米量级；最后用HNA溶液选择性腐蚀掉中度掺杂区域内的硅，得到低掺杂浓度的单晶硅纳米结构。本发明的方法不仅具备MEMS工艺与IC工艺兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点，而且相对于利用侧墙和光刻胶灰化技术的纳米结构制作方法，拥有更好的线宽可控性。

公开(公告)号：CN102157371A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110070920.7

申请日：2011-03-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王晓菲 ,  于晓梅 ,  赵安迪 ,  于侃

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种制作单晶硅纳米结构的方法，首先根据单晶硅纳米结构的图形在硅衬底上光刻，定义微米级线宽的掩膜图形；然后通过离子注入在掩膜图形外形成重掺杂区域；接着高温退火使注入的离子扩散进入掩膜图形下面的硅材料中，形成中度掺杂区域，将掩膜图形下低掺杂浓度区域的线宽减小至纳米量级；最后用HNA溶液选择性腐蚀掉中度掺杂区域内的硅，得到低掺杂浓度的单晶硅纳米结构。本发明的方法不仅具备MEMS工艺与IC工艺兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点，而且相对于利用侧墙和光刻胶灰化技术的纳米结构制作方法，拥有更好的线宽可控性。