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公开(公告)号：CN102351141A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110338989.3
申请日：2011-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种MEMS器件的圆片级真空封装的方法。该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖帽基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括：在底座基片上制备出MEMS器件；在底座基片的器件面、中间垫层基片的双面和盖帽基片的一面淀积复合金属层，形成键合区域图形；在其任一种基片上溅射吸气合金作为吸气剂；加工中间垫层基片形成过孔；把三种基片按顺序对准组合，并在基片之间夹入焊料；放入键合炉，焊料熔融后将这三种基片粘合在一起，形成密封腔；划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能和封装器件的可靠性、成品率高，且工艺简单、成本低，适用于工业大批量生产。
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