公开(公告)号：CN100478272C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610011782.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  王颖 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米厚度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：键合区制作、纳米厚度梁结构制作、硅与玻璃键合、纳米厚度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米厚度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN1267582C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200410009379.9

申请日：2004-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  于晓梅

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。

公开(公告)号：CN1847140A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011781.X

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN1598060A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410009379.9

申请日：2004-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  于晓梅

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。

公开(公告)号：CN100478271C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610011781.X

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN1847141A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011782.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  王颖 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米厚度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：键合区制作、纳米厚度梁结构制作、硅与玻璃键合、纳米厚度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米厚度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。