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公开(公告)号：CN119956303A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311479728.2
申请日：2023-11-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁控管驱动机构和磁控溅射设备，涉及半导体技术领域，可以在不开腔和不拆卸磁控管的前提下，调整靶材与磁控管的间距，大幅降低了成本。磁控管驱动机构包括：驱动组件，第一传动组件和第二传动组件；驱动组件与第一传动组件连接，用于带动第一传动组件做旋转运动；第一传动组件和第二传动组件连接，用于带动第二传动组件做旋转中心为定点的旋转运动；第二传动组件用于：在驱动组件处于开机状态的情况下，在第一传动组件的带动下做旋转中心为定点的旋转运动，以带动磁控管做旋转中心为定点的旋转运动；在驱动组件处于关机状态的情况下，在外力作用下沿第二传动组件的轴向移动，以带动磁控管沿第二传动组件的轴向移动。
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公开(公告)号：CN115679278B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110864874.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种双磁控管溅射装置及半导体工艺设备，双磁控管溅射装置包括主旋转横梁、第一磁控管、第二磁控管和旋转部件；第一磁控管与第二磁控管分别设于主旋转横梁的两端；旋转部件包括第一旋转部和第二旋转部，第一旋转部用于连接驱动源，以驱动旋转部件自转，第二旋转部与主旋转横梁的中心转动连接，第一旋转部的旋转轴和第二旋转部的旋转轴之间具有预设距离；主旋转横梁上设有限位件，用于在旋转部件正转或者反转时与旋转部件抵接，使旋转部件带动第一磁控管和第二磁控管围绕第一旋转部旋转，且第一磁控管和第二磁控管中的一者在靶材范围内旋转，另一者至少部分在靶材外旋转。本发明装置无需使用配重块，能够使装置的整体重量得到有效的降低。
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公开(公告)号：CN116815140B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN115896729A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110903949.2
申请日：2021-08-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王磊
Abstract: 本发明公开一种半导体加工设备的调压装置和半导体加工设备，涉及半导体加工设备技术领域。该调压装置包括调节板和驱动组件。半导体加工设备包括工艺腔室和排气口，排气口设置于工艺腔室上。调节板可移动地设置于工艺腔室中，用于遮挡排气口；驱动组件与调节板相连，且驱动组件可驱动调节板相对排气口移动，以调节排气口的流通面积。该技术方案能解决相关技术中半导体加工设备内不同腔室工艺压力调节困难的问题。
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公开(公告)号：CN115679278A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110864874.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种双磁控管溅射装置及半导体工艺设备，双磁控管溅射装置包括主旋转横梁、第一磁控管、第二磁控管和旋转部件；第一磁控管与第二磁控管分别设于主旋转横梁的两端；旋转部件包括第一旋转部和第二旋转部，第一旋转部用于连接驱动源，以驱动旋转部件自转，第二旋转部与主旋转横梁的中心转动连接，第一旋转部的旋转轴和第二旋转部的旋转轴之间具有预设距离；主旋转横梁上设有限位件，用于在旋转部件正转或者反转时与旋转部件抵接，使旋转部件带动第一磁控管和第二磁控管围绕第二旋转部旋转，且第一磁控管和第二磁控管中的一者在靶材范围内旋转，另一者至少部分在靶材外旋转。本发明装置无需使用配重块，能够使装置的整体重量得到有效的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113445017B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110608738.6
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王磊
Abstract: 本发明公开一种半导体腔室及半导体工艺设备，所述半导体腔室包括内衬件(200)，所述内衬件(200)界定溅射空间(201)，所述内衬件(200)开设有第一通孔(202)，所述溅射空间(201)与所述第一通孔(202)相连通，其特征在于，所述半导体腔室还包括：遮挡件(300)，所述遮挡件(300)环绕设置于所述内衬件(200)之外，且遮盖所述第一通孔(202)，所述遮挡件(300)与所述内衬件(200)围成装配间隙(510)，所述装配间隙(510)与所述半导体腔室内除所述溅射空间(201)之外的容纳空间通过所述装配间隙(510)连通。上述方案能够解决半导体腔室的洁净度较差的问题。
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公开(公告)号：CN115305452A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210790450.X
申请日：2022-07-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种反应腔室，其包括腔体和设置在腔体中的基座，该基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部；沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，以及沿沉积环的轴向延伸的延伸部；延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环进行冷却；温控组件用于检测沉积环的温度，并根据温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，从而能够减少沉积环在工艺过程中的热形变量，减少颗粒问题的发生。
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公开(公告)号：CN109735822B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201811354815.4
申请日：2018-11-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 公开了一种反应腔室和半导体设备，反应腔室包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕承载面的外沉积环，处理组件用于与基座组件配合形成工艺区域，其中，反应腔室还包括接地环，连接至外沉积环以及所述接地盘之间，用于在处理组件与基座组件配合形成工艺区域时提供外沉积环至接地盘的接地路径，可有效解决使用金属材质的加热盘时外沉积环放电而引发打火现象，有利于提高镀膜效果。
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公开(公告)号：CN112151430A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010954506.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种半导体设备中的传输腔室及退火设备，其中传输腔室包括：至少一个腔室本体，每个腔室本体均包括相互隔离的至少两个子腔室，每个子腔室均设有与腔室本体外部相通的通气孔；设置在腔室本体外壁上的安装块，安装块上设有与通气孔一一对应的抽气通道；开关部件，开关部件能够选择性地堵塞或连通任一抽气通道。本发明一方面使传输腔室和抽真空管路结构紧凑，提高设备的维护空间，另一方面可以对每一个子腔室单独进行抽真空，可以避免子腔室间存在交叉污染的问题。
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公开(公告)号：CN119307868A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310870135.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。半导体工艺腔室包括：腔体，设置有与内部连通的抽气口；基座，设置于腔体内；第一气体调节组件，设置于腔体内，且将腔体内部分隔成工艺腔和通气腔，基座位于工艺腔中；通气腔位于基座下方，且与抽气口连通；第二气体调节组件，其包括设置于通气腔内的调节件；其中，第一气体调节组件具有朝向基座底部的进气面，且第一气体调节组件在进气面分布有多个将工艺腔与通气腔连通的进气通孔；调节件位于进气面的下方，且多个进气通孔位于调节件在进气面所在平面上的正投影内，调节件用于调节通过多个进气通孔流入通气腔的气体的流量。多个进气通孔可以调节进入通气腔的气体，以使工艺腔内的气体分布均匀。
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