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公开(公告)号：CN105045647A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410751684.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 本发明介绍一种支持NVM快速页编程的仿真器，涉及芯片仿真技术领域。仿真器包括仿真器控制模块和芯片仿真模块。仿真器在程序下载状态下，芯片仿真模块中的NVM控制模块处于快速页编程模式，实现程序的快速下载；仿真器在程序调试状态下，通过仿真器控制模块可以设置NVM控制模块的页编程时间参数，供调试评估程序使用；仿真器在程序运行状态下，芯片仿真模块中的NVM控制模块处于芯片仿真正常页编程模式，与真正芯片中的NVM页编程功能一致。本发明的仿真器，既能保证用户运行程序时NVM页编程功能正确，又能保证用户下载程序时能快速写入NVM数据。本发明具有快速下载程序、提高程序调试效率的特点。
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公开(公告)号：CN116610505A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310395479.2
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明介绍一种异步通信接口电路及通信方法,涉及到芯片仿真调试领域。本发明实现一种异步通信的并行从接口，将外部接口信号转为内部接口信号，实现内部电路与外围设备的通信功能。本发明的接口电路包括接口控制模块、数据接收模块、数据发送模块、数据校验模块、异常处理模块、数据接收RAM、数据发送RAM共7部分，既支持数据通信功能，又支持数据校验及异常处理，提升了接口通信的可靠性。本发明的接口电路作为从接口支持向主设备发起传输请求，从而实现主动上传数据的功能。本发明的接口电路适用于FPGA或MCU芯片外部接口的功能扩展，提升对外接口的兼容性及传输速率，加快项目开发进度。
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公开(公告)号：CN111597699A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010384232.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，仿真器包括FLASH接口处理模块、数据通路选择模块、掉电数据随机化模块、擦写控制模块、读控制模块和存储器模块。仿真器通过FLASH接口处理模块产生控制信号，在FLASH擦写高压使能信号有效期间，若掉电数据随机化模块检测到接口掉电，则按照FLASH掉电数据随机化原则生成新数据，并把此新数据写入存储器模块；若掉电数据随机化模块未检测到接口掉电，则把接口原数据写入存储器模块。本发明仿真器满足FLASH正常擦写读操作要求，支持FLASH擦写期间接口掉电数据随机化的功能，方便软件程序调试和接口掉电功能测试，提高了开发和测试效率。
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公开(公告)号：CN106571156A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610970631.5
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C7/22
Abstract: 本发明介绍一种高速读写RAM的接口电路及方法,涉及到芯片仿真调试领域。本发明实现一个从设备的并行读写接口，包括数据总线和控制信号，控制信号包括时钟信号、读写信号、命令使能信号，接口电路包括IO接口模块、寄存器控制模块、RAM接口模块3部分组成，支持三种操作：配置地址操作、连续读RAM操作、连续写RAM操作。芯片仿真器通常采用RAM来仿真芯片的FLASH、EEPROM、ROM、RAM等存储器，本发明设计一种高速读写RAM的接口电路，可以加快芯片程序调试速度，提升开发效率。
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公开(公告)号：CN106055382A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610352699.7
申请日：2016-05-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F9/455
CPC classification number: G06F9/45533
Abstract: 本发明公开了一种支持NVM掉电保护功能测试的仿真器，涉及到芯片仿真技术领域。仿真器包括仿真器管理模块和仿真器硬件，仿真器硬件包括调试/运行控制模块、接口上/下电检测模块、复位控制模块和芯片仿真模块。仿真器管理模块控制仿真器硬件工作在运行模式，若程序在执行NVM擦写过程中，发生接口下电则仿真器硬件立即处于复位态，直到接口重新上电后，执行掉电保护程序完成NVM擦写操作；仿真器管理模块控制仿真器硬件工作在调试模式，支持接口上电或下电时程序的调试。本发明的仿真器能满足NVM掉电保护功能测试的要求，在没有读卡器供电时也可进行程序调试，方便用户对各类应用程序的开发和测试，提高程序开发效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103886121A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210563716.3
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种在SIM仿真器上实现SWP协议的电路，包括：开关单元SW1，其开关共用K端与SWP协议仿真器输入信号SWPIN连接，其开关控制C端与SWPIO信号线连接，其开关状态T1端与V33连接，其开关状态T2端与地连接；开关单元SW2，其开关控制C端与SWP协议仿真器输出信号SWPOUT连接，其开关共用K端与可调电阻R一端连接，其开关状态T1端与SWPIO信号线连接，其开关状态T2端与地连接；可调电阻R，其一端与SWPIO信号线连接，另一端接开关单元SW2的共用K端。
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公开(公告)号：CN118824344A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410921140.6
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种支持FLASH页替换及坏页测试的仿真器，仿真器包括坏页信息BAK区、FLASH接口处理模块、坏页信息随机产生模块、擦写读控制模块、坏页信息区、RDN数据区和MAIN数据区。仿真器在上电过程中随机产生坏页信息区数据同时把坏页信息区数据读到坏页信息BAK区，FLASH控制器在擦写读操作时依据坏页信息BAK区内容控制对RDN数据区或MAIN数据区擦写读操作。通过仿真器软件修改坏页信息BAK区内容，实现RDN页与MAIN坏页轮换遍历，完成FLASH控制器坏页替换机制的功能测试。本发明仿真器满足正常情况下的FLASH擦写读功能，同时支持MAIN区最多4个坏页的FLASH功能仿真。本发明便于软件程序调试和坏页替换功能测试，提高了FLASH产品的开发和测试效率。
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公开(公告)号：CN113567832B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110771586.1
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板IO连通性的测试装置，测试装置包括测试控制模块、数据处理模块、数据校验模块、IO测试板。其中，数据处理模块通过IO接口信号连接至IO测试板，并配置输出IO管脚的电平状态，数据校验模块用于检测被测模块电路上任一路输入IO管脚的开路或短路的状态。本发明的测试装置用于电路板上MCU或FPGA芯片的IO与所连接的接插件的连通性测试，能准确检测出IO的开路或是相临两个IO的短路问题，快速定位电路板焊接或芯片IO失效问题，加快生产和测试效率。
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公开(公告)号：CN115879490A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110916497.1
申请日：2021-08-11
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种支持非接触时钟自适应功能测试的仿真器，仿真器通过仿真器管理模块和仿真器硬件实现能量通路选择和能量变化控制，提供给芯片仿真模块变化的能量，以实现芯片时钟自适应功能的测试。本发明仿真器支持非接触接口正常通信功能，同时支持能量随机变化的自适应功能测试要求。通过仿真器内部控制能量大小的变化，不需要人工或自动装置移动设备来改变能量的大小，操作简便节约成本，提高了开发和测试效率。
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公开(公告)号：CN114756422A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210337323.4
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F11/26 , G06F11/263 , G01R31/28 , G06F8/61 , G06F9/445 , G06F9/455 , G06F21/62 , G06F21/60 , G06F13/16 , G06F11/14
Abstract: 本发明公开一种支持程序固化的仿真器及方法,应用于芯片仿真调试领域。本发明的仿真器由仿真器调试模块、备份存储器、芯片功能调试模块、芯片功能仿真模块组成，仿真器调试模块通过芯片功能调试模块向备份存储器下载程序数据，芯片功能调试模块在仿真器上电后从备份存储器加载程序数据到芯片功能仿真模块，并控制芯片功能仿真模块复位和运行程序。本发明的仿真器采用RAM仿真芯片NVM，提出了仿真器进行程序固化和加载运行的方法。本发明的仿真器支持密文备份存储，实现对程序的安全保护；支持在线和非在线程序调试运行，便于软件的开发和测试，提高了芯片研发效率。
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