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公开(公告)号：CN110489206B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910604602.0
申请日：2019-07-05
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明介绍一种具有禁止程序调试功能的仿真器，涉及到芯片安全调试技术领域。本发明的仿真器，包括仿真器控制模块和仿真器硬件模块。仿真器硬件模块中的调试模块包括调试寄存器模块、禁止调试模块和地址处理模块，仿真器控制模块通过对调试寄存器模块中的寄存器设置，实现运行、停止、单步、断点的调试操作。地址处理模块检测CPU模块的地址总线并输出禁止调试信号，禁止调试模块通过对CPU模块调试总线的控制实现禁止调试功能。本发明的仿真器，能有效保护程序代码及执行流程等安全敏感信息，为具有安全要求的芯片或芯片仿真器设计提供一种调试保护方案。
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公开(公告)号：CN104461859A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410427112.5
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明介绍一种支持NVM软断点调试的仿真器和方法，涉及芯片仿真技术领域。仿真器包括仿真器调试模块和仿真器硬件，仿真器硬件主要包括芯片功能调试模块、CPU、芯片MMU、芯片NVM、芯片RAM、调试RAM等模块。仿真器调试模块将擦写程序和断点数据分别写入调试RAM的擦写程序RAM和断点存储RAM中，并依据断点数据将芯片NVM中断点地址的代码备份到断点存储RAM，控制CPU执行擦写程序将NVM中断点地址的代码写为断点指令，实现断点设置功能；将芯片NVM中断点指令改回断点存储RAM备份的代码，实现断点清除功能。
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公开(公告)号：CN111597699B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010384232.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，仿真器包括FLASH接口处理模块、数据通路选择模块、掉电数据随机化模块、擦写控制模块、读控制模块和存储器模块。仿真器通过FLASH接口处理模块产生控制信号，在FLASH擦写高压使能信号有效期间，若掉电数据随机化模块检测到接口掉电，则按照FLASH掉电数据随机化原则生成新数据，并把此新数据写入存储器模块；若掉电数据随机化模块未检测到接口掉电，则把接口原数据写入存储器模块。本发明仿真器满足FLASH正常擦写读操作要求，支持FLASH擦写期间接口掉电数据随机化的功能，方便软件程序调试和接口掉电功能测试，提高了开发和测试效率。
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公开(公告)号：CN109002416B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810670424.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F15/78 , G06F1/3237
Abstract: 本发明公开了一种支持芯片低功耗调试的仿真器及方法，仿真器包括仿真器管理模块、调试模块、芯片功能模块和时钟模块4部分。在低功耗模式时，时钟模块产生调试模块和芯片功能模块中CPU_DBG模块使用的低频时钟；调试模块中的PMU模块检测芯片功能模块是否处于低功耗状态，并能正确响应仿真器管理模块发出的调试命令，保证在低功耗模式下调试接口正常通信。本发明的仿真器实现了低功耗模式的调试功能，在低功耗调试操作方面与真实芯片一致，有效避免程序开发时，因仿真器不支持低功耗调试而产生的设计问题。
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公开(公告)号：CN109002416A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810670424.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种支持芯片低功耗调试的仿真器及方法，仿真器包括仿真器管理模块、调试模块、芯片功能模块和时钟模块4部分。在低功耗模式时，时钟模块产生调试模块和芯片功能模块中CPU_DBG模块使用的低频时钟；调试模块中的PMU模块检测芯片功能模块是否处于低功耗状态，并能正确响应仿真器管理模块发出的调试命令，保证在低功耗模式下调试接口正常通信。本发明的仿真器实现了低功耗模式的调试功能，在低功耗调试操作方面与真实芯片一致，有效避免程序开发时，因仿真器不支持低功耗调试而产生的设计问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117408196A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311378539.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/33 , G06F11/273 , G06F1/24
Abstract: 本说明书公开了一种芯片仿真的方法及仿真器。仿真器接收待仿真芯片的芯片数据。其次，响应于用户的选择操作，从多个接口类型的芯片接口中，确定至少一个目标芯片接口。而后，接收目标芯片接口发送的逻辑电平信号，并确定与逻辑电平信号对应的上电复位信号。最后，基于上电复位信号对待仿真芯片进行复位，并在复位完成之后，根据芯片数据对待仿真芯片与目标芯片接口之间的数据通信进行仿真。本方法可以从多个接口类型的芯片接口中，确定至少一个目标芯片接口，根据芯片数据对待仿真芯片与目标芯片接口之间的数据通信进行仿真，从而提高具有多个接口类型的芯片接口的芯片的开发和测试的效率。
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公开(公告)号：CN105045647B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201410751684.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 本发明介绍一种支持NVM快速页编程的仿真器，涉及芯片仿真技术领域。仿真器包括仿真器控制模块和芯片仿真模块。仿真器在程序下载状态下，芯片仿真模块中的NVM控制模块处于快速页编程模式，实现程序的快速下载；仿真器在程序调试状态下，通过仿真器控制模块可以设置NVM控制模块的页编程时间参数，供调试评估程序使用；仿真器在程序运行状态下，芯片仿真模块中的NVM控制模块处于芯片仿真正常页编程模式，与真正芯片中的NVM页编程功能一致。本发明的仿真器，既能保证用户运行程序时NVM页编程功能正确，又能保证用户下载程序时能快速写入NVM数据。本发明具有快速下载程序、提高程序调试效率的特点。
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公开(公告)号：CN106055382B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610352699.7
申请日：2016-05-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 本发明公开了一种支持NVM掉电保护功能测试的仿真器，涉及到芯片仿真技术领域。仿真器包括仿真器管理模块和仿真器硬件，仿真器硬件包括调试/运行控制模块、接口上/下电检测模块、复位控制模块和芯片仿真模块。仿真器管理模块控制仿真器硬件工作在运行模式，若程序在执行NVM擦写过程中，发生接口下电则仿真器硬件立即处于复位态，直到接口重新上电后，执行掉电保护程序完成NVM擦写操作；仿真器管理模块控制仿真器硬件工作在调试模式，支持接口上电或下电时程序的调试。本发明的仿真器能满足NVM掉电保护功能测试的要求，在没有读卡器供电时也可进行程序调试，方便用户对各类应用程序的开发和测试，提高程序开发效率。
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公开(公告)号：CN106445808A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610753990.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F11/3656
Abstract: 本发明公开了一种具有控制程序单步调试功能的仿真器，涉及到芯片仿真和安全调试技术领域。本发明的仿真器，包括软件管理模块和仿真器硬件模块。软件管理模块发送调试命令，仿真器硬件模块解析调试命令，若当前命令是调用安全程序区的指令，则仿真器硬件模块一直执行安全程序区指令，直到返回用户程序区(非安全)的指令时停止，软件管理模块停到用户程序区的下条指令处；若当前命令是用户程序区的指令，则仿真器硬件模块执行完本条指令后停止，软件管理模块停到用户程序区的下条指令处。本发明的仿真器，非权限用户只能调用安全区程序，无法查看安全程序区的指令/数据；禁止非权限用户通过单步调试，跟踪安全程序区的算法流程，达到保护软件知识产权的目的。
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公开(公告)号：CN103886121B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210563716.3
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种在SIM仿真器上实现SWP协议的电路，包括：开关单元SW1，其开关共用K端与SWP协议仿真器输入信号SWPIN连接，其开关控制C端与SWPIO信号线连接，其开关状态T1端与V33连接，其开关状态T2端与地连接；开关单元SW2，其开关控制C端与SWP协议仿真器输出信号SWPOUT连接，其开关共用K端与可调电阻R一端连接，其开关状态T1端与SWPIO信号线连接，其开关状态T2端与地连接；可调电阻R，其一端与SWPIO信号线连接，另一端接开关单元SW2的共用K端。
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