公开(公告)号：CN106571156B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201610970631.5

申请日：2016-10-28

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 张洪波 ,  张晋文 ,  赵满怀

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

Abstract: 本发明介绍一种高速读写RAM的接口电路及方法,涉及到芯片仿真调试领域。本发明实现一个从设备的并行读写接口，包括数据总线和控制信号，控制信号包括时钟信号、读写信号、命令使能信号，接口电路包括IO接口模块、寄存器控制模块、RAM接口模块3部分组成，支持三种操作：配置地址操作、连续读RAM操作、连续写RAM操作。芯片仿真器通常采用RAM来仿真芯片的FLASH、EEPROM、ROM、RAM等存储器，本发明设计一种高速读写RAM的接口电路，可以加快芯片程序调试速度，提升开发效率。

公开(公告)号：CN106571156A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610970631.5

申请日：2016-10-28

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 张洪波 ,  张晋文 ,  赵满怀

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/22

Abstract: 本发明介绍一种高速读写RAM的接口电路及方法,涉及到芯片仿真调试领域。本发明实现一个从设备的并行读写接口，包括数据总线和控制信号，控制信号包括时钟信号、读写信号、命令使能信号，接口电路包括IO接口模块、寄存器控制模块、RAM接口模块3部分组成，支持三种操作：配置地址操作、连续读RAM操作、连续写RAM操作。芯片仿真器通常采用RAM来仿真芯片的FLASH、EEPROM、ROM、RAM等存储器，本发明设计一种高速读写RAM的接口电路，可以加快芯片程序调试速度，提升开发效率。