公开(公告)号：CN1716104B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低介电常数膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1423172A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02155744.6

申请日：2002-12-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物,其特征在于,该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上,和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中,对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良,且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。

公开(公告)号：CN111286333A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010096805.6

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN110114507A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680091924.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 津田贵大 ,  德久智明 ,  大和田拓央 ,  千田一敬

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明提供包含1种或2种以上的碱金属化合物、所述碱金属化合物不是作为碱金属仅含钠的化合物、且所述碱金属化合物不是仅碱金属的卤化物、仅亚硫酸钾、或者仅酒石酸钾钠的用于无电解镀金的金析出促进剂，包含该金析出促进剂的无电解镀金液，使用其的镀金方法和金析出促进方法等。

公开(公告)号：CN104449739A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410478206.5

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN1831654B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610054750.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法，其在半导体电路元件的制造工序中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性；且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀。本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有：炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。

公开(公告)号：CN1690183A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN118435329A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202380015445.4

申请日：2023-05-11

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  吉田勇喜 ,  持田耕平 ,  仓本蕗人

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 本发明的课题在于提供一种于自3D非挥发性记忆单元等的制造为首的，以对于氧化硅的实用的蚀刻比率对氮化硅进行选择性蚀刻的步骤中，能够抑制氧化硅的再生长，并且不产生脱离醇的氮化硅蚀刻液组成物。本发明解决问题的技术手段为一种用于3D非挥发性记忆单元等的制造氮化硅蚀刻液组成物，包含磷酸、一种或二种以上的水溶性硅化物的水解物及水。

公开(公告)号：CN107085351B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710080816.3

申请日：2017-02-15

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川直树

IPC: G03F1/80

Abstract: 本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。

公开(公告)号：CN112997278A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980074709.7

申请日：2019-11-13

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 柏木一树 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru，并且能够抑制RuO4气体的产生的除去用组合物。一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。