公开(公告)号：CN101461078A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020580.9

申请日：2007-05-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  松川博史 ,  川田敦雄 ,  大庭敏夫

IPC: H01M8/02 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/1011 ,  H01M4/92 ,  H01M4/921 ,  H01M4/926 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/1037 ,  H01M8/1072 ,  H01M2250/30 ,  H01M2300/0082 ,  Y02B90/18 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56

Abstract: 公开一种用于直接甲醇燃料电池的电解质膜－电极组件，其中将固体聚合物电解质膜保持在一对电极之间，所述电极各自包含涂布在多孔载体上和/或浸渍于多孔载体中的催化剂层。该用于直接甲醇燃料电池的电解质膜－电极组件的特征在于，所述固体聚合物电解质膜通过用射线照射树脂膜并且接枝聚合自由基聚合性单体而制成。该用于直接甲醇燃料电池的电解质膜－电极组件的特征还在于，所述阳极的催化剂层包含催化剂，其中由碳颗粒负载粒径为5nm或更小的铂族金属或含铂合金颗粒，和固体聚合物电解质，并且阳极的催化剂层中的贵金属量不超过5mg/cm2。通过使用这样的催化剂，能够获得其中通过使用高甲醇浓度实现高输出的直接甲醇燃料电池。

公开(公告)号：CN118159693A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072193.4

申请日：2022-06-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁 ,  茂木弘 ,  樋口浩一

IPC: C30B25/18 ,  C04B35/581 ,  C04B41/87 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及可得到晶体缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的表层0.1～1.5μm进行薄膜转印的方式而设置。

公开(公告)号：CN110892506B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201880046539.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。

公开(公告)号：CN107108218A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070163.X

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: C01B32/15 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/05 ,  C01B32/184 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供复合基板，其具有：厚度1μm以下的单晶碳化硅薄膜11；支承该单晶碳化硅薄膜11的由耐热温度1100℃以上的耐热材料(其中，不包括单晶碳化硅)制成的操作基板12；和在上述单晶碳化硅薄膜11与操作基板12之间设置的、由选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、硅和碳化硅中的至少1种的材料、或者选自Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zr、Mo、Ta和W中的至少1种的金属材料制成的厚度为1μm以下的中介层13。本发明的复合基板可以廉价地制作缺陷少的纳米碳膜。

公开(公告)号：CN104798176A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380061023.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  白井省三

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/68327

Abstract: 复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。

公开(公告)号：CN104488081A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。