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公开(公告)号：CN1806270A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016360.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东芝松下显示技术有限公司 , 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5275
Abstract: 提供了一种光学设备(1)，该设备包括：第一波导层(41，42)，多光束干涉发生在该层中；第二波导层(10)，它包括与第一波导层(41，42)面对面的后表面和作为光线输出面的前表面；以及衍射光栅(30)，它被安排在第二波导层(10)的背面上并面对着第一波导层(41，42)，其中确定该衍射光栅(30)的光栅常数时要使一级衍射光从第二波导层(10)中出射，一级衍射光是当在共面方向上传播、同时还在第一波导层(41，42)中引起多次反射的、具有最高光强的光分量进入衍射光栅(30)时产生的。
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公开(公告)号：CN112530463B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201911369973.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够实现精度高的伺服图案的写入的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、第1读元件、第2读元件以及控制器。磁盘写入有所述第1伺服信息。所述控制器基于所述第1伺服信息来执行向所述磁盘写入第2伺服信息的伺服写的控制。另外，所述控制器执行通过所述第1读元件取得所述第1伺服信息的控制。并且，所述控制器执行基于通过所述第1读元件所取得的所述第1伺服信息的品质来将在所述伺服写的控制中所使用的读元件从所述第1读元件切换为所述第2读元件的控制。
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公开(公告)号：CN112530463A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911369973.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够实现精度高的伺服图案的写入的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、第1读元件、第2读元件以及控制器。磁盘写入有所述第1伺服信息。所述控制器基于所述第1伺服信息来执行向所述磁盘写入第2伺服信息的伺服写的控制。另外，所述控制器执行通过所述第1读元件取得所述第1伺服信息的控制。并且，所述控制器执行基于通过所述第1读元件所取得的所述第1伺服信息的品质来将在所述伺服写的控制中所使用的读元件从所述第1读元件切换为所述第2读元件的控制。
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公开(公告)号：CN100524861C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1430290A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112530465B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN103782512A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201380003024.6
申请日：2013-04-17
CPC classification number: H01M10/465 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2081 , H01L24/01 , H01L25/047 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01M4/48 , H02J7/35 , H02J7/355 , H02S40/38 , Y02E10/542 , Y02E10/566 , H01L2924/00
Abstract: 根据本公开的一个方面，提供了一种光伏系统，包括：发电模块，包括被配置为将光能转化为电力的至少一个发电部；蓄电模块包括被配置为存储由所述发电部转化的电力的多个蓄电部。发电模块和蓄电模块并联连接。在蓄电模块中，多个蓄电装置串联连接。并且，蓄电装置的数量大于发电部的数量。
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公开(公告)号：CN101051663A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710008395.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1036296C
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN94105265.6
申请日：1994-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/08
CPC classification number: G03G15/065
Abstract: 一种图象成象装置，其包括用于承载静电潜影的图象承载件，用于携带包括调色剂粒子的显影剂载体；用于向显影剂载体供给预定频率的振荡电压的电压源；其中下式得以满足。|Vpp-2Vcont|/16Vf2＜d2/|Q|这里Vpp是振荡电压的蜂值与蜂值电压，V(H)为振荡电压之频率，Vconr(V)是当产生最大的图象密度时振荡电压的直流分量电压和图象载体上图象部分的电位之间的电位差：Q(c/kg)是调色粒子的平均摩擦电荷量，d(m)是图象承载体和显影剂携带件之间的间隙.
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公开(公告)号：CN1097877A
公开(公告)日：1995-01-25
申请号：CN94105265.6
申请日：1994-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/06
CPC classification number: G03G15/065
Abstract: 一种图象成象装置，其包括用于承载静电潜影的图象承载件用于携带包括调色剂粒子的显影剂载体；用于向显影剂载体供给预定频率的振荡电压的电压源；其中下式得以满足。|Vpp-2Vcont|/16Vf2＜d2/|Q|这里Vpp是振荡电压的峰值与峰值电压，V(H)为振荡电压之频率，Vcont(V)是当产生最大的图象密度时振荡电压的直流分量电压和图象载体上图象部分的电位之间的电位差；Q(c/kg)是调色粒子的平均摩擦电荷量，d(m)是图象承载体和显影剂携带件之间的间隙。
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