公开(公告)号：CN108369962A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072010.3

申请日：2016-12-07

Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 浦冈行治 ,  山崎遥 ,  藤井茉美 ,  高桥英治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种场效迁移率超过20cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体装置。一种薄膜晶体管，其是在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，在氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与漏极区域，且在源极区域与漏极区域所夹的区域形成通道区域，在源极区域连接源极电极、在漏极区域连接漏极电极的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜中含有氟，且通道区域的宽度W相对于长度L的比例(W/L)不足8。

公开(公告)号：CN101558473B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780041692.2

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜：成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释气体的导入流量Md和成膜原料气体的导入流量Ms的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述压力等的组合作为利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由结晶硅成分引起的Ic与由非晶硅成分引起的Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的组合，形成多晶硅系薄膜。

公开(公告)号：CN101632153B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780050112.6

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0245 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28035 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4925

Abstract: 本发明提供能够在较低的温度下廉价且以良好的生产性形成结晶硅薄膜的硅薄膜形成方法。本发明提供能获得泄漏电流被抑制得较低的薄膜晶体管用的基板的硅薄膜形成方法。该硅薄膜形成方法中，将基板(S)暴露于含氢的氢结合处理用气体的等离子体后，在该基板上形成结晶硅薄膜。可采用膜形成对象面是形成于基板主体上的含氮栅极绝缘膜的基板作为基板(S)，来获得能提供电子迁移率高、截止电流小的薄膜晶体管的基板。

公开(公告)号：CN1934913B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200580009440.2

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 小野田正敏 ,  高桥英治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  C23F4/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32082

Abstract: 一种等离子体发生装置，具备有等离子体发生室(10)以及在室(10)内设置的高频天线(1)，在室(10)内对气体由天线(1)施加高频功率，发生感应耦合等离子体。天线(1)是由从室(10)外向室(10)内延伸的第一部分(11)、以及从第1部分(11)的室内侧端部(11e)开始电路并联使其分支而且终端(12e)与接地的室(10)的内壁直接连接的多个第2部分(12)组成的低电感量天线。天线(1)的表面覆盖电绝缘性材料。即使对天线施加的高频功率的频率是40MHz至几百MHz左右的高频，也可以抑制异常放电、匹配不良等问题，产生所希望的等离子体。也可以构成为能够实施像膜形成那样的处理的装置。

公开(公告)号：CN100468630C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580009563.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 将氢气引入设置了硅溅射靶(2)及被成膜基板(S)的成膜室(10)内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Hα/SiH*为0.3～1.3的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶(2)进行化学溅射，在基板(S)上形成结晶性硅薄膜。能够在比较低的低温下廉价、安全地形成高质量的结晶性硅薄膜。

公开(公告)号：CN1934913A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009440.2

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 小野田正敏 ,  高桥英治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  C23F4/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32082

Abstract: 一种等离子体发生装置，具备有等离子体发生室(10)以及在室(10)内设置的高频天线(1)，在室(10)内对气体由天线(1)施加高频功率，发生感应耦合等离子体。天线(1)是由从室(10)外向室(10)内延伸的第一部分(11)、以及从第1部分(11)的室内侧端部(11e)开始电路并联使其分支而且终端(12e)与接地的室(10)的内壁直接连接的多个第2部分(12)组成的低电感量天线。天线(1)的表面覆盖电绝缘性材料。即使对天线施加的高频功率的频率是40MHz至几百MHz左右的高频，也可以抑制异常放电、匹配不良等问题，产生所希望的等离子体。也可以构成为能够实施像膜形成那样的处理的装置。

公开(公告)号：CN107251657A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680009474.X

申请日：2016-02-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种即便在延长高频天线的情况下也能够效率优良地产生感应耦合型等离子体的等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括高频天线(18)，所述高频天线(18)配置于被真空排气且导入了气体(8)的真空容器(2)内。所述等离子体处理装置进而包括：副天线(20)，在真空容器(2)内沿着高频天线(18)配置且其两端部附近隔着绝缘物(22)由真空容器(2)支持，且以电性浮动状态放置；以及绝缘罩体(24)，将位于真空容器(2)内的部分的两天线(18)、天线(20)统一覆盖。

公开(公告)号：CN103098187B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅膜及其形成方法、半导体器件以及薄膜晶体管，即提供不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN102002668B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010293669.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 大连理工大学 ,  日新电机株式会社 ,  日新电机(大连)技术开发有限公司

Inventor： 苏元军 ,  孙琦 ,  高桥英治 ,  董闯 ,  徐军 ,  范鹏辉

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35

Abstract: 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。

公开(公告)号：CN101842876B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880114555.1

申请日：2008-10-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。