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公开(公告)号：CN106536785A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038736.0
申请日：2015-07-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种能够持续进行稳定的无火花放电的阴极构件及使用其的等离子体装置。等离子体装置(100)包括真空容器(1)、用于保持基材(21)的保持构件(2)、以及安装于真空容器(1)上的电弧式蒸发源(3)。电弧式蒸发源(2)包括朝向基材(21)而配置的阴极构件(32)。阴极构件于7.9。(32)包含玻璃状碳。阴极构件(32)的抗热震性大
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公开(公告)号：CN101558473B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780041692.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜：成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释气体的导入流量Md和成膜原料气体的导入流量Ms的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述压力等的组合作为利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由结晶硅成分引起的Ic与由非晶硅成分引起的Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的组合，形成多晶硅系薄膜。
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公开(公告)号：CN104937132B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明提供一种等离子体装置、碳薄膜的制造方法及涂布方法。等离子体装置(10)包括真空容器(1)、电弧式蒸发源(3)、阴极构件(4)、挡板(5)、电源(7)、及触发电极(8)。电弧式蒸发源(3)与基板(20)相向而固定于真空容器(1)的侧壁。阴极构件(4)包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源(3)。电源(7)对电弧式蒸发源(3)施加负的电压。触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源(3)施加负的电压，使触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触而产生电弧放电，将挡板(5)打开而将碳薄膜形成于基板(20)上。本发明的等离子体装置可抑制阴极构件裂开。
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公开(公告)号：CN102326457B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980157431.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , C23C16/28 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子装置。天线(1～4)以其一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(31)相连接、另一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(32)相连接的方式配置在反应容器(10)的内部。平板构件(31、32)以相互大致平行的方式配置在反应容器(10)的外部。匹配器(60)与平板构件(31)相连接，高频电源(70)与匹配器(60)相连接。平板构件(32)的与连接有匹配器(60)的平板构件(31)的一端位于相同侧的一端与接地电位(GND)相连接。
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公开(公告)号：CN102326457A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157431.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , C23C16/28 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子装置。天线(1～4)以其一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(31)相连接、另一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(32)相连接的方式配置在反应容器(10)的内部。平板构件(31、32)以相互大致平行的方式配置在反应容器(10)的外部。匹配器(60)与平板构件(31)相连接，高频电源(70)与匹配器(60)相连接。平板构件(32)的与连接有匹配器(60)的平板构件(31)的一端位于相同侧的一端与接地电位(GND)相连接。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104937132A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 等离子体装置10包括真空容器1、电弧式蒸发源3、阴极构件4、挡板5、电源7、及触发电极8。电弧式蒸发源3与基板20相向而固定于真空容器1的侧壁。阴极构件4包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源3。电源7对电弧式蒸发源3施加负的电压。触发电极8与阴极构件4的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源3施加负的电压，使触发电极8与阴极构件4的突起部接触而产生电弧放电，将挡板5打开而将碳薄膜形成于基板20上。
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公开(公告)号：CN1934679B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN101558473A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780041692.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜：成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释气体的导入流量Md和成膜原料气体的导入流量Ms的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述压力等的组合作为利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由结晶硅成分引起的Ic与由非晶硅成分引起的Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的组合，形成多晶硅系薄膜。
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公开(公告)号：CN1934679A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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