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公开(公告)号：CN108369962B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680072010.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种场效迁移率超过20cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及半导体装置。一种薄膜晶体管，其是在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，在氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与漏极区域，且在源极区域与漏极区域所夹的区域形成通道区域，在源极区域连接源极电极、在漏极区域连接漏极电极的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜中含有氟，且通道区域的宽度W相对于长度L的比例(W/L)不足8。
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公开(公告)号：CN108369962A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072010.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种场效迁移率超过20cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体装置。一种薄膜晶体管，其是在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，在氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与漏极区域，且在源极区域与漏极区域所夹的区域形成通道区域，在源极区域连接源极电极、在漏极区域连接漏极电极的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜中含有氟，且通道区域的宽度W相对于长度L的比例(W/L)不足8。
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公开(公告)号：CN104821337B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510046590.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 , AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , C08G77/06 , G03F7/038 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供一种具备保护膜的薄膜晶体管基板及其制造方法，该基板可赋予高的驱动稳定性。一种薄膜晶体管基板，其为包含薄膜晶体管、以及由覆盖薄膜晶体管的感光性硅氧烷组合物的固化物形成的保护膜的薄膜晶体管基板，其特征在于，薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的半导体层，感光性硅氧烷组合物含有碱溶解速度不同的至少两种聚硅氧烷、感光剂以及溶剂。
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公开(公告)号：CN104821337A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510046590.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 , AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , C08G77/06 , G03F7/038 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供一种具备保护膜的薄膜晶体管基板及其制造方法，该基板可赋予高的驱动稳定性。一种薄膜晶体管基板，其为包含薄膜晶体管、以及由覆盖薄膜晶体管的感光性硅氧烷组合物的固化物形成的保护膜的薄膜晶体管基板，其特征在于，薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的半导体层，感光性硅氧烷组合物含有碱溶解速度不同的至少两种聚硅氧烷、感光剂以及溶剂。
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